[发明专利]化合物半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体组件封装结构，包含一基板、至少一个化合物半导体晶粒及一反射杯，该基板具有第一表面及相对于第一表面之第二表面，该反射杯位于该基板的第一表面并围绕化合物半导体晶粒形成一功能区，其特征在于：还包括复数个位于该基板内的金属柱，这些金属柱导通所述基板的第一表面及第二表面；一反射层，覆盖于所述反射杯及功能区表面。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体组件封装结构，其特征在于：还包含一金属层位于该基板与该反射杯之间。

3.根据权利要求2所述的化合物半导体组件封装结构，其特征在于：所述金属层包含第一导电区域及第二导电区域。

4.根据权利要求3所述的化合物半导体组件封装结构，其特征在于：所述第一导电区域及第二导电区域于所述功能区位置，且部分露出所述反射层。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体组件封装结构，其特征在于：所述基板为氧化铝基板、氮化铝基板或是片状陶瓷板堆栈。

6.根据权利要求1-5任一项所述的化合物半导体组件封装结构，其特征在于：所述反射层之材料为二氧化硅(SiO₂)、氧化硼(B₂O₃)及氧化镁(MgO)之混合物。

7.根据权利要求1-5任一项所述的化合物半导体组件封装结构，其特征在于：所述金属柱之材料可为银(Ag)、镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)、铝(Al)或前述金属之合金。

8.一种化合物半导体组件封装结构的制造方法，包含：

提供一基板，该基板具有第一表面及相对于第一表面之第二表面；

形成复数个导通孔导通该基板之该第一表面及该相对于第一表面之第二表面；

充填金属材料于该复数个导通孔形成复数个金属柱；

形成一反射杯于该基板之第一表面并产生一功能区；

形成一反射层于该反射杯及该功能区表面，并暴露第一电极区域与第二电极区域；

固接至少一化合物半导体晶粒于该功能区上；以及

覆盖一透明胶于该至少一个以上之化合物半导体晶粒。

9.根据权利要求8所述的化合物半导体组件封装结构制造方法，其特征在于：还包含形成一金属层介于该反射杯与该基板之间。

10.根据权利要求8所述的化合物半导体组件封装结构制造方法，其特征在于：所述金属层包含第一导电区域及第二导电区域。

11.根据权利要求8-10任一项所述的之化合物半导体组件封装结构制造方法，其特征在于：还包含形成第一金属垫片及第二金属垫片位于该基板之第二表面。