[发明专利]气体分布板及具备气体分布板的处理室

说明书

技术领域

本发明涉及气体分布板及具备气体分布板的处理室，更详细地说，涉及向被处理基板上均匀地喷射工艺气体的气体分布板及具备气体分布板的处理室。

背景技术

一般而言，在用于制造集成电路装置、液晶显示装置、太阳能电池等装置的半导体制造工艺中，在被处理基板上形成薄膜的工艺是通过等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)装置完成的。

PECVD装置包括：基板支撑部，形成于处理室主体的内部空间，用于支撑并加热被处理基板；以及喷头，形成于基板支撑部的上部，用于向被处理基板喷射工艺气体。喷头包括：电极板，用于连接高频电源；以及气体分布板，形成有多个孔，用以喷射气体。通过电极板和气体分布板的结合，在电极板与气体分布板之间形成可使气体扩散的气体扩散空间。通过形成于电极板的气体流入口流入的气体，扩散至气体扩散空间后，通过气体分布板的孔并喷向被处理基板。

形成于气体分布板的孔，包括：气体流入孔，形成于气体流入的部分；气体喷射孔，形成于气体喷射的部分；以及通孔，具有小于气体流入孔及气体喷射孔的直径，并且连结气体流入孔和气体喷射孔。通过钻孔工艺形成上述结构的孔，因此，在形成小直径孔时，会发生钻头破损或气体分布板受损等问题。尤其是，随被处理基板的面积变大，气体分布板也要做成大面积，因此，要形成的孔数增加，导致制造时间变长，制造费用增加的问题。

发明内容

因此，本发明鉴于上述问题点而做出，其目的在于提供一种气体分布板，制造容易，缩短制造时间，且节省制造费用。

另外，本发明还提供具备上述气体分布板的处理室。

本发明提供的一种气体分布板，其包括第一孔、多个贯通孔及第二孔。所述第一孔形成于第一面侧。所述多个贯通孔从所述第一孔向作为所述第一面的相反面的第二面方向延伸，而且在所述各第一孔上至少连结两个以上该贯通孔。所述第二孔从所述贯通孔延伸至所述第二面，以大于所述贯通孔的大小形成。

也可以是，当俯视时，所述第一孔形成为圆形或矩形形状。另外，也可以是，当俯视时，所述第一孔也形成为围绕气体分布板中心的带状形成。

也可以是，所述第一孔的平面面积和深度中的至少一个随着位置而不同。作为一例，所述第一孔形成为：从气体分布板的中央越往边缘部，其平面面积越大。作为另一例，所述第一孔形成为：从气体分布板的中央越往边缘部，其深度越深。

也可以是，所述第二孔的同所述第二面相邻的区域，垂直于所述第二面。另外，也可以是，所述第二孔形成为倾斜状，越往所述第二面方向，变得越宽。

也可以是，在一个所述贯通孔上连结着一个所述第二孔。另外，也可以在两个以上所述贯通孔上共同连结着一个所述第二孔。

此外，本发明提供的另一种气体分布板，其包括：多个第一孔，形成于第一面侧；多个贯通孔，从所述各第一孔向作为所述第一面的相反面的第二面方向延伸，并且以小于所述第一孔的大小形成；以及至少一个第二孔，与至少两个以上所述贯通孔连结，并且延伸至所述第二面。所述第二面可以形成为：从气体分布板的边缘部越往中央部，其与所述第一面的距离越近。

本发明还提供一种处理室，包括：基板支撑部，设置于处理室主体的内部，支撑被处理基板；以及气体分布板，在所述处理室主体的内部，与所述基板支撑部相对着设置，向所述被处理基板方向喷射气体。其中，所述气体分布板包括：多个第一孔，形成于第一面侧；多个第二孔，形成于作为所述第一面的相反面的第二面侧；以及多个贯通孔，具有小于所述第一孔和所述第二孔的大小，并且连结所述第一孔和所述第二孔；其中，所述第一孔和所述第二孔中的至少一个，与两个以上所述贯通孔连结。

根据上述结构的气体分布板及具备该气体分布板的处理室，将形成于气体分布板的两个面上的第一孔及第二孔中的至少一个做得较大，使其与两个以上的贯通孔共同连结，从而缩短气体分布板的制造时间，节省制造费用。另外，通过使第一孔的平面面积和深度中的至少一个随着位置而不同，能够提高沉积于被处理基板上的沉积膜的厚度均匀性。尤其是，通过将与被处理基板相对着的气体分布板的下部面形状做成，从边缘部越往中央部，其与上部面越接近，就能够提高沉积均匀性。

附图说明

图1是表示本发明的一实施例涉及的处理室的图。

图2是表示图1所示的气体分布板的具体结构的立体图。

图3是沿图2的I-I′线剖切的剖面图。

图4是表示气体流入孔的另一实施例的剖面图。

图5是表示气体喷射孔的另一实施例的剖面图。