[发明专利]自动调整存储器刷新操作频率的电路、方法及其存储器有效
| 申请号： | 201010121872.5 | 申请日： | 2010-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102194513A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;董存霖;孟超;程宽 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/401 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自动 调整 存储器 刷新 操作 频率 电路 方法 及其 | ||
1.一种自动调整存储器刷新操作频率的电路，其特征在于，包括：
分别存储数据“0”和数据“1”的冗余存储单元；
冗余存储单元的定时读写电路模块；
电流差模块，用于对存储“1”的冗余单元的读电流和存储“0”的冗余单元的读电流两者求电流差；
比较模块，用于对所述电流差与基准电流进行比较；以及
刷新脉冲产生电路模块，用于根据比较模块的输出结果输出刷新脉冲信号。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述刷新脉冲产生电路模块在输出刷新脉冲信号时，也输出反馈信号至所述定时读写电路模块，以对冗余存储单元进行重新写“0”或“1”操作。
3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述冗余存储单元为两个以上，并设置于所监测的存储阵列的每行首末和每列首末。
4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，冗余存储单元中的存储值交替地写为“1”和“0”，所述存储“1”的冗余单元的读电流为所所有存储“1”的冗余单元的读电流的平均值，所述存储“0”的冗余单元的读电流为所有存储“0”的冗余单元的读电流的平均值。
5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述冗余存储单元设置在所监测的存储阵列的中部，或者随机设置在所监测的存储阵列的中部。
6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述冗余存储单元的数据保持特性相对差于所监测的存储阵列的存储单元的数据保持特性，其实现方式为：
所述冗余存储单元的制造形成工艺相对差异于所监测的存储阵列的存储单元制造形成工艺，或者所述冗余存储单元的器件结构相对差异于所监测的存储阵列的存储单元的器件结构。
7.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述存储器为以读电流形式来区分“0”“1”状态的存储器。
8.如权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括用于产生基准电流的基准电流源。
9.一种自动调整存储器刷新操作频率的方法，其特征在于，包括步骤：
(1)存储阵列进行刷新操作时，同时对冗余存储单元分别存储数据“0”和“1”；
(2)定时分别对存储“0”的冗余存储单元和存储“1”的冗余存储单元进行读操作；
(3)对存“1”的冗余单元的读电流和存“0”的冗余单元的读电流两者求电流差；
(4)对所述电流差与基准电流进行比较；如果电流差大于基准电流，则重复进入步骤(2)；如果电流差小于或等于基准电流，则通过刷新脉冲产生电路模块产生刷新脉冲信号，进入步骤(1)。
10.一种自动调整存储器刷新操作频率的存储器，包括存储阵列、行译码器、列译码器、灵敏放大器、字线驱动模块、位线驱动模块、逻辑控制模块，其特征在于，还包括如权利要求1至11任一所述的自动调整存储器刷新操作频率的电路，所述自动调整存储器刷新操作频率的电路输出刷新脉冲信号至所述逻辑控制模块。
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