[发明专利]具有凹涡结构导线架的覆晶半导体组件封装有效
| 申请号: | 201010121867.4 | 申请日: | 2006-06-09 |
| 公开(公告)号: | CN101800209A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
| 发明(设计)人: | 孙明;龚德梅 | 申请(专利权)人: | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 姜玉芳;徐雯琼 |
| 地址: | 百慕大哈密尔*** | 国省代码: | 百慕大群岛;BM |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 结构 导线 半导体 组件 封装 | ||
1.一种倒装半导体组件封装,包括:
具有若干源极凹涡和若干栅极凹涡的导线架;
一个具有分别相对应于导线架源极凹涡和栅极凹涡的若干源极接触窗 区域和栅极接触窗区域的半导体晶粒,该半导体晶粒倒装于导线架上,因此, 固化的导电环氧层为若干源极接触窗区域与源极凹涡和若干栅极接触窗区域 与栅极凹涡之间提供了电连接和机械连接;
该些源极接触窗区域和栅极接触窗区域通过晶粒前侧表面上的防焊漆 制造过程形成。
2.如权利要求1所述的半导体组件封装,其特征在于,该组件后侧表面包 含一个保护性的环氧树脂层。
3.如权利要求1所述的半导体组件封装,其特征在于,所述源极凹涡和栅极 凹涡通过模印导线架制造过程实现。
4.如权利要求1所述的半导体组件封装,其特征在于,该些源极凹涡和栅极 凹涡通过压印导线架制造过程实现。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体股份有限公司,未经万国半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010121867.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





