[发明专利]发光器件封装

说明书

技术领域

实施方案涉及一种发光器件封装。

背景技术

发光二极管(LED)可使用GaAs基、AlGaAs基、GaN基、InGaN 基和InGaAlP基的化合物半导体材料形成发光源。

将这种LED进行封装以用作发出各种颜色的发光器件。发光二极管在 显示颜色的各种应用包括开/关指示装置、文本显示装置和图像显示装置中 用作光源。

发明内容

实施方案提供一种发光器件封装，其中发光器件在导电型封装体上生 长。

实施方案提供一种发光器件封装，其中电流通过封装体供给至发光器 件。

实施方案提供一种发光器件封装，其中由发光器件产生的热通过封装 体放出。

实施方案提供一种发光器件封装，包括：在封装体上设置的多个阱。

一个实施方案提供一种发光器件封装，包括：第一导电型封装体；在 所述封装体上的具有开口的绝缘层；通过所述绝缘层的开口在所述封装体 上设置的多个化合物半导体层；电连接至所述多个化合物半导体层的电 极；电连接至所述封装体并且设置在所述绝缘层的一部分上的第一金属 层；和电连接至所述电极并且设置在所述绝缘层的其它部分上的第二金属 层。

一个实施方案提供一种发光器件封装，包括：在其上部具有腔的第一 导电型封装体；在所述封装体上的绝缘层；包括导电型缓冲层的多个化合 物半导体层，其中所述导电型缓冲层接触所述封装体的腔的底表面；在所 述多个化合物半导体层上的电极；电连接至所述封装体并且设置在所述绝 缘层的一部分上的第一金属层；和电连接至所述电极并且设置在所述绝缘 层的其它部分上的第二金属层。

一个或更多个实施方案的细节将在附图和以下的描述中进行阐述。其 它特征将由说明书和附图以及由权利要求书而变得明显。

附图说明

图1是根据一个实施方案的发光器件封装的侧视图。

图2是说明图1的发光器件区域的放大图。

图3～10是说明制造图1的发光器件封装的工艺的视图。

图11是说明制造图1的发光器件封装的工艺的流程图。

图12是说明制造根据另一个实施方案的发光器件封装的工艺的流程 图。

具体实施方式

在以下描述中，应理解当层(或者膜)称为在另一层或者衬底‘上’时， 其可以直接在另一层或者衬底上，或者也可存在中间层。此外，应理解当 层称为在另一层“下”时，其可以直接在另一层下，也可存在一个或更多个 中间层。现在将详细说明本公开的实施方案，在附图中对其实例进行说明。 在以下描述中，措辞“上方”、“一个”、“下”和“下方”均基于附图。此外， 各层的厚度仅仅是示例性说明的。

图1是根据一个实施方案的发光器件封装的侧视图。

参考图1，发光器件封装100包括：封装体110、绝缘层120、第一阱 130、第二阱135、第一金属层140、第二金属层145和发光器件150。

封装体110可为导体，例如使用由硅材料形成的导电衬底的晶片级封 装(WLP)。在封装体110的上部中限定具有预定深度的腔103。腔103 可为基管型凹槽、多边形凹槽和圆形凹槽中任意一种。凹槽形状可实现为 单一结构或者多层梯级结构，但是不限于此。

封装体110可具有第一导电特性。此处，第一导电特性表示其中注入 或者扩散第一导电型掺杂剂的区域。

而且，封装体110可具有和导电型缓冲层151相同的极性，但是不限 于此。

腔103可具有相对于封装体110的底表面垂直或者倾斜设置的侧表面 101。而且，腔103的侧表面101可倾斜为具有预定角度或者曲率。

绝缘层120设置在封装体110的表面上。绝缘层120可由选自各种绝 缘材料例如硅氧化物(例如，SiO₂)、硅热氧化物、氮化铝(AlN)、碳化 硅(SiC)、氧化铝和氮化硅、电介质材料中的一种形成，但是不限于此。 此处，绝缘层120可由例如有效实现齐纳二极管结构的硅热氧化物形成。

例如，从腔103的底表面至封装体110的底表面的厚度可为约500μm～ 约2000μm。该厚度表示其中热得到有效传递从而硅衬底不会破裂的范围。 然而，本实施方案对硅衬底的厚度没有限制。