[发明专利]发光器件封装和包括其的照明系统

说明书

技术领域

实施方案涉及一种发光器件封装和包括该发光器件封装的照明系统。

背景技术

氮化物半导体由于其高热稳定性和宽带隙能所以在光学器件和高功率 电子器件领域中得到很多关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色LED、 绿色LED和UV LED已经商业化并广泛使用。

发光二极管(LED)可通过利用化合物半导体材料例如GaAs基材料、 AlGaAs基材料、GaN基材料、InGaN基材料和InGaAlP基材料构成发光 源。

将这种LED封装并由此用作用于发出各种颜色光的发光器件。发光器 件正在各种领域例如照明显示器、字符显示器和图像显示器中用作光源。

然而，在相关技术发光器件封装中，由封装体发出的光的辐射角是有 限的，使得光提取效率降低。

发明内容

实施方案提供一种具有改善的光提取效率的发光器件封装和包括该发 光器件封装的照明系统。

在一个实施方案中，发光器件封装包括：具有倾斜侧表面的封装体； 和在所述封装体的倾斜侧表面上的发光器件。

在另一个实施方案中，照明系统包括：包括发光器件封装的发光模块， 所述发光器件封装包括设置在封装体的倾斜侧表面上的发光器件。

一个或更多个实施方案的细节将在附图和以下的描述中进行阐述。其 他特征可由说明书和附图以及由权利要求而变得明显。

附图说明

图1是根据一个实施方案的发光器件封装的截面图。

图2～6A是说明制造根据一个实施方案的发光器件的工艺的截面图。

图6B、6C、6D是根据其它实施方案的发光器件封装的截面图。

图7是根据一个实施方案的照明单元的立体图。

图8是根据一个实施方案的背光单元的立体图。

具体实施方式

以下，将参考附图描述根据一个实施方案的发光器件和包括该发光器 件的照明系统。

在实施方案的描述中，应理解当层(或膜)称为在另一层或衬底“上/ 上方”时，其可直接在另一层上/上方，或者也可存在中间层。此外，应理 解当层被称为在另一层“下”时，其可以直接在该层下，并且也可存在一个 或更多个中间层。另外，也应理解当层称为在两层“之间”时，其可以是在 所述两层之间仅有的层，或也可存在一个或更多个中间层。

(实施方案)

图1是根据一个实施方案的发光器件封装200的截面图。

根据一个实施方案的发光器件封装200可包括：其上部的两个侧表面 均是倾斜的封装体210、和在所述封装体210的两个侧表面上设置的发光 器件100。

其上部的两个侧表面均是倾斜的封装体210的下部宽度大于其上部宽 度以使光的辐射角变宽，由此改善光反射性。

而且，封装体210可倾斜，使得其宽度朝向下的方向逐渐增加。例如， 当封装体210是<100>硅晶片时，封装体210的倾斜表面可倾斜为相对于 晶面<111>具有约54.7°的角度。因此，封装体210可具有朝向下的方向逐 渐增加的宽度。

封装体210可具有顶部被截去的金字塔形的上部。

而且，在一个实施方案中，封装体210可包括在其上部内的静电放电 (ESD)保护装置。例如，ESD保护装置用于使发光器件封装的尺寸小型 化和用于在发生静电放电时保护发光器件。

封装体210在其上部内可包括齐纳(Zener)二极管(未显示)。齐纳 二极管可电连接至多个发光器件100，以在发生静电放电时保护发光器件 100。

齐纳二极管可通过形成在封装体210中而使发光器件封装的尺寸小型 化，齐纳二极管由于形成于封装体210中所以不会遮蔽由LED发出的光。

根据一个实施方案的发光器件封装可包括围绕封装体210和发光器件 100的密封材料270。密封材料270可具有半球形状，但是不限于此。密封 材料270可包含磷光体(未显示)。

在一个实施方案中，在形成密封材料270时形成阻挡物260。阻挡物 260可有助于密封材料270的形成以及防止密封材料270在金属层250上 发生隆起现象。阻挡物260可包括氧化物层或者氮化物层，但是不限于此。

图6B、6C、6D是根据其它实施方案的发光器件封装的截面图。