[发明专利]半导体发光器件和包括其的发光器件封装

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物 半导体层；

设置在所述多个化合物半导体层下方且连接至所述第二导电半导 体层的电极层；

连接至所述第一导电半导体层的电极；

在所述电极层下方的导电支撑构件；

布置在所述导电支撑构件中以具有与所述导电支撑构件的厚度相 等或比所述导电支撑构件的厚度小的高度的第一缓冲构件；

设置在所述电极层下方以与所述电极垂直重叠的第二缓冲构件，和

在所述多个化合物半导体层和所述电极层之间的沟道层，所述沟道 层包含绝缘材料；

其中所述电极设置在多个上部化合物半导体层的上表面上，

其中所述第二缓冲构件包含金属，

其中所述第一缓冲构件和所述第二缓冲构件都形成在所述导电支 撑构件内部，

其中所述沟道层包括突入到所述多个化合物半导体层中的绝缘突 起，

其中所述绝缘突起将所述多个化合物半导体层的内部区域和外部 区域分开，并且

所述内部区域为有源区域，所述外部区域为无源区域。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述绝缘突起形成为 带状、环状或框状中的至少之一。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述多个化合物半导 体层包括所述第二导电半导体层下方的第三导电半导体层，所述第三导 电半导体层的极性与所述第二导电半导体层的极性相反。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一缓冲构件包 括点阵图案、条图案、多个圆顶图案、多个同心圆图案和交叉型矩阵图 案中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一缓冲构件形 成为具有不同的高度。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括在所述第一导电半导 体层顶部形成的粗糙结构。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一缓冲构件的 上端的一部分暴露于所述化合物半导体层的外侧。

8.一种发光器件封装，包括：

主体；

在所述主体中的多个引线电极；

电连接至所述多个引线电极的发光器件；和

覆盖所述发光器件的模制构件，

其中所述发光器件包括根据权利要求1至7中任一项所述的半导体 发光器件。