[发明专利]一种铁基超导体的制备方法无效
申请号: | 201010121412.2 | 申请日: | 2010-03-10 |
公开(公告)号: | CN101814344A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 高召顺;马衍伟;王栋樑;张现平;王雷;齐彦鹏;姚超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B12/00 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超导体 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种铁基超导体的制备方法,特别是一种铁基超导体的强磁场制备方法。
背景技术
2008年1月初,日本东京工业大学的H.Hosono研究组在JASC杂志上报导了对LaO1-xFxFeAs材料的研究,并发现温度在26 K时该材料表现超导电性,这一突破性进展开启了科学界新一轮的高温超导研究热潮[Kamihara Y.et al.,Iron-based layered superconductorLaO1-xFxFeAs(x=0.05-0.12)with Tc=26 K.J.Am.Chem.Sco.130,3296-3297(2008)].目前,根据母体化合物的组成比和晶体结构,新型铁基超导材料大致可以分为以下四大体系:(1)“1111”体系,成员包括LnOFePn(Ln=La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Y;Pn=P,As);(2)“122”体系,成员包括A1-xBxFe2As2(A=Ba、Sr、Eu或Ca,B=Cs、Rb、K、Na,x=0-0.6)等;(3)“111”体系,成员包括AFeAs(A=Li,Na)等;(4)“11”体系,成员包括FeSe(Te)等.
铁基超导体是一种新发现的高温超导体,其最高超导转变温度目前已达到55K,并有可能继续提高。与传统超导材料相比,铁基超导体有转变温度高、上临界场大、临界电流的强磁场依赖性小等优点,是一种在20-50K范围内具有极大应用前景的新型超导材料。与氧化物高温超导材料相比,铁基超导体的晶体结构更为简单、相干长度大、各向异性小、制备工艺简单,因此铁基超导材料的制备受到国际上的广泛关注。但是,也应到看到,尽管铁基超导体被发现至今已有2年的时间,但其临界电流密度还非常低。目前的样品还存在密度低和晶粒连接性差等问题,大大限制了铁基超导体实用化进程。中国专利200410009009.5“一种二硼化镁超导体的制备方法”公开了利用强磁场处理二硼化镁超导材料的工艺,但是该方法所研究的对象是二硼化镁超导材料。中国专利200810106039.6“一种铁基化合物超导线材、带材及其制备方法”公开了铁基超导材料的一种合成方法,该方法采用了常规的合成工艺,在合成工艺中没有引入磁场,并且该方法制备的铁基超导体晶粒属于无序排列,材料密度低,存在严重的弱连接问题,导致临界电流密度低,超导性能差。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种铁基超导体及其制备方法,以提高铁基超导体的超导性能。
本发明利用强磁场制备所述铁基超导体的方法有两种,其工艺步骤顺序如下:
方法1:
1)将铁基超导材料A1-xBxFe2As2(A=Ba、Sr、Eu或Ca,B=Cs、Rb、K、Na,x=0-0.6),或者是铁基超导材料LnFeAsO1-δFδ(Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y中的一种或多种元素;δ=0-0.4)采用现有的化学方法合成铁基超导体前驱粉;该前驱粉可以是未经烧结的几种原料的均匀混合物,或者是经过500-1500℃烧结后的具有超导性的铁基化合物。
2)然后将步骤1)得到的铁基超导体前驱粉装入模具中,利用压片机压制成片,得到块状样品,或将铁基超导体前驱粉装入金属套管中,经过孔型轧制、旋锻或者拉拔,得到线材,然后经过轧制后,得到带状样品。
3)再将块状样品或者带状样品分别放入具有Ar气氛或者真空的强磁场热处理炉中;开启强磁场和热处理炉的电源,样品在磁场强度0.1-30特斯拉、温度500-1500℃下保温0.1-100小时后,关闭磁场和热处理炉电源,使样品随热处理炉冷却至室温,得到铁基超导体。
方法2:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所,未经中国科学院电工研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010121412.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。