[发明专利]固体摄像装置和电子设备有效
申请号: | 201010120091.4 | 申请日: | 2010-02-12 |
公开(公告)号: | CN101814517A | 公开(公告)日: | 2010-08-25 |
发明(设计)人: | 菊地晃司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋;梁韬 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 电子设备 | ||
相关申请的引用
本申请包含与2009年2月23日在日本专利局提交的日本优先 权专利申请JP 2009-038943中所披露的有关的主题,将其全部内容 结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及固体摄像装置(solid-state imaging device)和电子 设备。具体地,本发明涉及一种这样的固体摄像装置和电子设备, 其中对应于不同颜色的多个像素包括在一个像素单位中,并且将像 素单位以矩阵形式设置在摄像区域中。
背景技术
期望以互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器为代表的 半导体图像传感器包括更多的像素,即,实现像素尺寸的减小并增 加相同图像区域中像素的数量。日本专利公开第2001-160973号公 开了一种具有微透镜、滤光片和遮光膜的开口的固体摄像装置,所 述微透镜、滤光片和遮光膜的开口以基于利用像高(图像高度)和 出瞳距离(exit pupil distance)定义的输出角以及从微透镜到光接收 部分的膜厚度计算的偏移量进行设置。日本专利公开第2008-78258 号公开了一种固体摄像装置,其中敏感度设定基于每一种颜色进行 变化。日本专利公开第Sho 62-42449号公开了一种固体摄像装置, 其中遮光膜的开口区域根据颜色而有所不同。日本专利公开第 2007-288107号公开了一种固体摄像装置,其中滤光片偏移设置, 从而防止色差(color shading)的发生。
发明内容
然而,随着像素数量的增加,信号量变小,并且变得难以确保 相同的S/N比(信号/噪声比)。特别是,引起色平衡的扰动归因于 透镜视角较大时,信号量的劣化显著,并且信号量的劣化根据颜色 而变化。
本发明需要抑制由于透镜视角引起的对色平衡的扰动。
根据本发明的一种模式,提供了一种包括多个像素单位的固体 摄像装置,其中所述多个像素单位被配置为以将对应于不同颜色的 多个像素视为一个单位的方式设置在摄像区域中。在该固体摄像装 置中,设置像素单位中的各个像素的位置的偏移量,使得根据从摄 像区域的中心到像素单位的距离和颜色而不同。
在本发明的该模式中,由于为在从摄像区域的中心到其周边的 区域上的像素单位中的像素所设置的设置偏移量根据从摄像区域 的中心到其周边的区域的距离以及颜色而不同,所以能够在从摄像 区域的中心到其周边的区域上抑制像素单位中的颜色偏移。
根据本发明的另一个模式,提供了一种包括多个像素单位的固 体摄像装置,其中所述多个像素单位被配置为将对应于不同颜色的 多个像素作为一个单位以矩阵形成设置在摄像区域中,并且遮光部 分被配置为对应于所述多个像素单位而设置,并且具有对应于像素 单位中像素的开口。在该固体摄像装置中,设置像素单位中各个像 素的遮光部分的开口位置的偏移量,使得该偏移量根据从摄像区域 的中心到像素单位的距离和颜色而不同。
在本发明的该模式中,由于为在从摄像区域的中心到其周边的 区域上的像素单位中的像素的遮光部分的开口设置的位置偏移量 根据从摄像区域的中心到像素单位的距离和颜色而不同,所以能够 在从摄像区域的中心到其周边的区域上抑制像素单位中的颜色偏 移。
根据本发明的另一个模式,提供了一种包括上面描述的固体摄 像装置的电子设备。在该电子设备中,对固体摄像装置中的像素获 得的信号进行处理的电路可以由CMOS晶体管形成。此外,像素可 以被配置为捕获光,所述光来自基板的形成有互连层的表面的相对 侧的表面。此外,还可以提供转移部分,该部分通过顺序施加具有 不同相位的电位来转移被捕获在像素中的电荷。
在本发明的模式中的像素是指进行光电转换的区域,并且不仅 包括结构上通过元件隔离分开的区域,而且还包括根据输出电信号 分开的区域。此外,像素单位不仅包括作为多个像素的组并结构上 被分开的单位,而且还包括在每一个由多个像素构成的组的重复边 界处方便地分开的单位。
根据本发明的模式,使得可以抑制由于透镜的视角引起的色平 衡的扰动,并且在从摄像区域的中心到其周边的区域内可以获得没 有颜色串扰的信号。
附图说明
图1是用于说明背照式CMOS传感器的示意性截面图;
图2是用于说明具有遮光部分的背照式CMOS传感器的示意性 截面图;
图3是用于说明前照式CMOS传感器的示意性截面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的