[发明专利]热电装置有效
| 申请号： | 201010118828.9 | 申请日： | 2010-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102194811A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;郭景宗 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L35/32;H01L23/48;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热电 装置 | ||
1.一种热电装置，其特征在于，包括用于封装集成电路芯片的硅基板中的第一导电层、第二导电层和第一、第二导电层间的热电偶层，所述热电装置与需冷却的集成电路芯片形成叠层结构，所述第一导电层和第二导电层经由所述硅基板中的硅通孔与需冷却的集成电路芯片连通。
2.如权利要求1所述的热电装置，其特征在于，
所述第一导电层及第二导电层分别包括多个导电板；
所述热电偶层包括多个间隔分布的N型及P型热电结构，所述N型热电结构具有在第一、第二导电层间贯通的硅基板通孔，所述硅基板通孔中填充有N型热电材料，所述P型热电结构具有在第一、第二导电层间贯通的硅基板通孔，所述硅基板通孔中填充有P型热电材料；相邻N型及P型热电结构间由绝缘层隔离，且至少有一端共同连接至同一导电板。
3.如权利要求2所述的热电装置，其特征在于，所述N型热电材料为N型SiGe，所述P型热电材料为P型SiGe。
4.如权利要求2所述的热电装置，其特征在于，所述N型热电材料包括两种N型热电材料的超晶格，所述P型热电材料包括两种P型热电材料的超晶格。
5.如权利要求4所述的热电装置，其特征在于，所述两种N型热电材料包括N型Si和N型SiGe。
6.如权利要求5所述的热电装置，其特征在于，N型Si和N型SiGe的厚度均小于100nm，N型Si和N型SiGe的厚度比为1～1.2。
7.如权利要求4所述的热电装置，其特征在于，所述两种P型热电材料包括P型Si和P型SiGe。
8.如权利要求7所述的热电装置，其特征在于，P型Si和P型SiGe的厚度均小于100nm，P型Si和P型SiGe的厚度比为1～1.2。
9.如权利要求4所述的热电装置，其特征在于，所述两种P型热电材料包括B4C和B9C。
10.如权利要求9所述的热电装置，其特征在于，B4C和B9C的厚度均小于100nm，B4C和B9C的厚度比为1～1.2。
11.如权利要求2所述的热电装置，其特征在于，所述绝缘层为Al2O3、SiO、SiN中的任意一种。
12.如权利要求1所述的热电装置，其特征在于，所述硅基板的材料为Si或SiC。
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