[发明专利]一种掩膜图形缺陷的检测方法及系统

权利要求书

1.一种掩膜图形缺陷的检测方法，其包括：

获取掩膜图像的步骤，其在光刻掩膜版上的掩膜图形缺陷修复之后，获取所述掩膜图形缺陷位置对应的掩膜图形的SEM图像和正常掩膜图形相应位置的SEM图像，其中，所述掩膜图形缺陷位置对应的掩膜图形的SEM图像是待测掩膜图像，所述正常掩膜图形相应位置的SEM图像是正常掩膜图像；

特征提取和格式转化步骤，提取所述待测掩膜图像和所述正常掩膜图像的边缘特征，并将其转化为以几何图形格式存储，从而得到初始掩膜缺陷图形和初始正常掩膜图形；

填充步骤，对所述初始掩膜缺陷图形和所述初始正常掩膜图形的矩形边缘轮廓中的空白区域进行填充，从而形成掩膜缺陷图形和正常掩膜图形；

数据合并步骤，将所述掩膜缺陷图形与原始集成电路设计版图的几何图形进行叠加，得到合并的掩膜缺陷图形；

轮廓仿真步骤，将所述合并的掩膜缺陷图形和所述正常掩膜图形分别送入轮廓仿真系统进行晶圆片的轮廓仿真，从而生成掩膜缺陷图形轮廓和正常掩膜图形轮廓；

仿真轮廓的关键尺寸分析步骤，测取所述掩膜缺陷图形轮廓的缺陷位置的关键尺寸和所述正常掩膜图形轮廓的相应位置的关键尺寸，并将所述掩膜缺陷图形轮廓的缺陷位置的关键尺寸与所述正常掩膜图形轮廓的相应位置的关键尺寸进行比较，求其关键尺寸的差值；以及，

判断步骤，判断所述关键尺寸的差值是否超过预先设定的阈值，从而确定所述掩膜图形缺陷是否修复成功。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述获取掩膜图像的步骤中，所述待测掩膜图像和所述正常掩膜图像是在同一个光刻掩模版上拍摄出的掩膜图形缺陷位置对应的掩膜图形和正常掩膜图形相应位置的SEM图像。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述特征提取和格式转化步骤中，所述几何图形格式是图形设计系统格式。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜缺陷图形和所述原始集成电路设计版图的几何图形均是以图形设计系统格式存储的图形。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述轮廓仿真步骤中，利用考虑了光致抗蚀剂效应的光学邻近修正模型仿真出所述合并的掩膜缺陷图形的缺陷位置区域的晶圆片抗蚀轮廓和所述正常掩膜图形相应区域的晶圆片抗蚀轮廓，从而生成所述掩膜缺陷图形轮廓和所述正常掩膜图形轮廓。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在利用所述光学邻近修正模型进行轮廓仿真时，考虑包括掩膜误差增强因子和归一化的图像对数斜率的敏感特性。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述轮廓仿真步骤中，利用简化光学曝光模型，通过调节曝光参数进行轮廓仿真。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻掩膜版包括二元型光刻掩膜版和相位移光刻掩膜版。

9.一种基于原始集成电路设计版图的掩膜图形缺陷的检测方法，其包括如下步骤：

获取掩膜图像的步骤，其在光刻掩膜版上的掩膜图形缺陷修复之后，获取该掩膜图形缺陷位置对应的掩膜图形的SEM图像作为待测掩膜图像；

特征提取和格式转化步骤，提取所述待测掩膜图像的边缘特征，并将其转化为以几何图形格式存储，得到初始掩膜缺陷图形；

填充步骤，对所述初始掩膜缺陷图形的矩形边缘轮廓中的空白区域进行填充，从而形成掩膜缺陷图形；

数据合并步骤，将所述掩膜缺陷图形与所述原始集成电路设计版图的几何图形进行叠加，得到合并的掩膜缺陷图形；

轮廓仿真步骤，将所述合并的掩膜缺陷图形和所述原始集成电路设计版图的几何图形分别送入轮廓仿真系统进行晶圆片的轮廓仿真，从而生成掩膜缺陷图形轮廓和标准掩膜图形轮廓；

仿真轮廓的关键尺寸分析步骤，测取所述掩膜缺陷图形轮廓的缺陷位置的关键尺寸和所述标准掩膜图形轮廓的相应位置的关键尺寸，并将所述掩膜缺陷图形轮廓的缺陷位置的关键尺寸与所述标准掩膜图形轮廓的相应位置的关键进行比较，求其关键尺寸的差值；以及，

判断步骤，判断所述关键尺寸的差值是否超过预先设定的阈值，从而确定所述掩膜图形缺陷是否修复成功。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述特征提取和格式转化步骤中的所述几何图形格式是图形设计系统格式。