[发明专利]存储控制器及控制数据读取的方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种存储控制器以及控制数据读取的方法，用于控制将数据记录到存储装置及/或从存储装置中读取数据，且特别是关于一种具有可编程的编码电路/解码电路的存储控制器以及控制数据读取的方法，来支持多个有限域、多个码字长度及/或多个误差校正能力。

背景技术

误差检测以及校正技术是用来有效的校正由不同因素所造成的误差，以获得无误差数据。以闪存为例，闪存的价格/性能上的持续改进使闪存成为了许多应用中存储的长期选择。然而，在制造期间，闪存可能存在缺陷(defect)(例如，有缺陷的内存单元(memory cell))，并且在此装置的使用期间，还可能出现更多的缺陷，因此其应用受到了限制。为了处理这些缺陷以及实现有效、可靠的操作，内存系统一般使用误差检测以及校正技术，来保证可靠的数据复制(data reproduction)。

在传统的闪存装置中，通常使用博斯-查德胡里-霍昆格母(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem，以下简称为BCH)编码，来检测以及校正数据误差。码字长度以及BCH编码的误差校正能力由公式n-k≤m·t来决定，其中，n表示BCH码字长度(例如，用户数据以及奇偶校验(parity)的总长度)，k表示用户数据的长度，m表示有限域(亦可称为高氏场)，且t表示误差校正能力。

对于单层单元(single-level-cell，以下简称为SLC)闪存装置，由不同制造商所制造的SLC闪存装置的错误校正码(error correction code，以下简称为ECC)需求是相似的。由于所要求的ECC需求相似，因此，在有限域GF(2^13)中提供BCH码的同一个控制芯片，可以用来满足由不同制造商所制造的SLC闪存装置的ECC需求。

然而，对于多层单元(multi-level-cell，以下简称为MLC)闪存装置，由不同制造商所制造的MLC闪存装置具有不同的页面长度以及ECC需求。此外，不同的ECC码字长度需要不同的有限域。举例而言，512字节(byte)的用户数据长度通常要求使用有限域GF(2^13)，1K字节的用户数据长度通常要求使用有限域GF(2^14)；以及2K字节的用户数据长度通常要求使用有限域GF(2^15)。因此，MLC闪存装置的传统控制芯片只支持MLC闪存装置所需求的单一有限域以及单一误差校正能力。也就是，支持单一有限域以及单一误差校正能力的同一个控制芯片，不能应用在具有不同页面长度以及ECC需求的不同MLC闪存装置中。

支持单一有限域以及单一误差校正能力的传统控制芯片缺乏弹性。举例而言，使用单一及固定有限域的控制芯片无法支持较长的码字长度，而且当其支持较短的码字长度时，使用了更多的奇偶校验位，这样就浪费了闪存装置的备用区。另外，使用单一及固定有限域的控制芯片不能动态调节误差校正能力，以作为对不同应用需求的响应。

因此，需要一种可以满足不同ECC需求的可编程存储控制器，以达到最大化的数据保护。

发明内容

为解决以上技术问题，本发明提供了一种存储控制器及控制数据读取的方法。

本发明提供了一种存储控制器，控制存储装置的数据读取。所述存储控制器包含：编码电路，可编程以支持多个不同有限域，所述编码电路根据可调节有限域设置，产生已编码输入数据；以及控制电路，耦接于编码电路，用于控制可调节有限域设置，以及根据已编码输入数据，将输入数据记录到存储装置中。

本发明另提供一种存储控制器，控制存储装置的数据读取。所述存储控制器包含：编码电路，可编程以支持多个不同误差校正能力，所述编码电路根据可调节误差校正能力设置，产生已编码输入数据；以及控制电路，耦接于编码电路，用于调节可调节误差校正能力设置，以及根据已编码输入数据，将输入数据记录到存储装置中。

本发明另提供一种存储控制器，控制存储装置的数据读取。所述存储控制器包含：编码电路，可编程以支持多个不同码字长度，所述编码电路根据可调节码字长度设置，产生已编码输入数据；以及控制电路，耦接于编码电路，用于调节可调节码字长度设置，以及根据已编码输入数据，将输入数据记录到存储装置中。

本发明另提供一种存储控制器，控制存储装置的数据读取。所述存储控制器包含：解码电路，可编程以支持多个不同有限域，所述解码电路根据可调节有限域设置，产生已解码读出数据；以及控制电路，耦接于解码电路，用于从存储装置中读取数据，来获得读出数据，以及控制可调节有限域设置。