[发明专利]一种改善Eu3+离子掺杂Lu2O3薄膜发光衰减的方法无效

专利信息
申请号: 201010117595.0 申请日: 2010-03-04
公开(公告)号: CN101798508A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 施鹰;谢杰;谢建军;邱华军;王剑 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C09K11/78 分类号: C09K11/78
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 eu sup 离子 掺杂 lu sub 薄膜 发光 衰减 方法
【权利要求书】:

1.一种改善Eu3+离子掺杂Lu2O3薄膜发光衰减的方法,其特征在于该方法具有如下工艺过程和步骤:

a.用溶胶-凝胶法制备前驱物溶胶:将LuCl3·6H2O粉末加入到无水乙醇中,在100℃下搅拌2~3h后使得粉末完全溶解获得透明溶液,其中Lu3+的浓度为0.256mol/L;此后加入分子量为6000的聚乙二醇、柠檬酸及少量水在室温下继续搅拌2~3h后得到透明的溶胶,其中聚乙二醇和柠檬酸与LuCl3·6H2O的质量比分别为1∶2~5和1∶0.6~1,加入的水和乙醇的体积比为1∶8~10;而后按照溶胶中Eu3+和Lu3+的摩尔比为1∶20,加入Eu(NO3)3溶液,并加入所需共掺量的Pr(NO3)3溶液到溶胶中,共掺Pr3+浓度为0.1~0.5mol%,搅拌半小时后即可得到所需要的前驱物溶胶;

b.薄膜的旋涂制备和煅烧:将步骤a的前驱物溶胶滴到单晶硅衬底表面,使用匀胶机在3000r/min的转速下使胶体均匀地涂覆在基片上,将被旋涂上薄膜的基片每次用烤胶机在180℃下热处理20min;这样重复旋涂和热处理操作10~20次后,将旋涂过的硅片在1000℃空气氛下煅烧1h就能制备出Eu3+、Pr3+共掺的Lu2O3薄膜。

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