[发明专利]半导体模块无效
| 申请号： | 201010116688.1 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101807564A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·约布尔;海科·布拉姆尔;乌尔里希·赫尔曼;托比亚斯·非 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 车文;樊卫民 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 | ||
1.半导体模块，特别是功率半导体模块，其中，与衬底(1)连接的半导体元件(2)被以电绝缘浇铸料(4)包铸，
其特征在于，
所述浇铸料(4)具有由陶瓷前驱体聚合物形成的基质。
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，利用填料以高达80体积％的填充度对所述陶瓷前驱体聚合物进行填充。
3.根据前述权利要求之一所述的半导体模块，其中，所述填料是由陶瓷材料形成的、具有处于0.5μm至500μm范围内的平均颗粒尺寸的粉末。
4.根据前述权利要求之一所述的半导体模块，其中，在室温下，所述陶瓷材料的热导率λ大于10W/mK，优选大于20W/mK。
5.根据前述权利要求之一所述的半导体模块，其中，所述陶瓷材料选自如下的组：BN、SiC、Si3N4、AlN、滑石、堇青石。
6.根据前述权利要求之一所述的半导体模块，其中，所述陶瓷前驱体聚合物选自如下的组：聚硅氧烷、聚硅氮烷、聚碳硅烷。
7.根据前述权利要求之一所述的半导体模块，其中，将在所述半导体元件(2)与至少区段式地包围所述半导体元件(2)的壳体(3)之间的间隙至少部分地以浇铸料(4)来填充。
8.根据前述权利要求之一所述的半导体模块，其中，所述陶瓷前驱体聚合物以凝胶状或热固性形式存在。
9.根据权利要求1至6之一所述的半导体模块，其中，包围所述半导体元件(2)的壳体(3)以与所述浇铸料(4)一体式构造的方式，由呈热固性形式存在的所述陶瓷前驱体聚合物形成。
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