[发明专利]存储器电路及其系统以及存取该存储器电路的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体电路，特别涉及一种存储器电路、系统、以及用 以提供位线平衡电压(位线平衡电压，BLEQs)的方法。

背景技术

存储器电路可应用于多种用途，其包括DRAM及SRAM电路。DRAM 电路包括多个存储器单元(cell)。动态存储器单元中具有电容性存储存储器 单元阵列，而各存储器单元具有一存取晶体管。存于存储器单元的数据实际 上为存于电容中的电荷。当欲输出该数据时，存取晶体管会被耦接至该晶体 管栅极或控制端的一字线(WL)启动。存取晶体管于是将该电容耦合至一 位线(BL)上，而感测放大器接着感测该电容的电压(电荷)。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供一种存储器电路。该 存储器电路包括：至少一存储器单元，用以存储代表一数据的一电荷，该存 储器单元与一位线对中的一字线及一第一位线耦合；至少一位线平衡晶体 管，耦接于该位线对的该第一位线与一第二位线之间；以及一位线平衡电路， 与该位线平衡晶体管耦接，该位线平衡电路用以在该存储器单元的一存取周 期前的一待命期间，提供一脉冲至该位线平衡晶体管，以大体平衡该第一位 线及该第二位线的电压。

本发明另提供一存储器电路。该存储器电路包括：至少一存储器单元， 用以存储表示一数据的一电荷，该存储器单元与一位线对中的一字线及一第 一位线耦合；至少一位线平衡晶体管，耦接于该位线对的该第一位线与一第 二位线之间；以及位线平衡电路，与该至少一位线平衡晶体管耦接，其中该 位线平衡电路包括：一第一转换检测器，用以检测一启动信号中的一第一转 换；一第二转换检测器，用以检测该启动信号中的一第二差动转换；一第一 逻辑门，与该第一及第二转换检测器的输出端耦接；一第一延迟电路，用以 响应该启动信号的该第一转换；一第二延迟电路，用以响应该启动信号的该 第二转换；一第一反相器，与该第一延迟电路的输出端耦接；一第二逻辑门， 与该第一逻辑门、该第一反相器、以及该第二延迟电路耦接；一第二反相器， 与该第一反相器的输出端耦接；至少一电平位移器电路，与该第二逻辑门、 该第二反相器、及该第二延迟电路耦接；以及一第一型的一第一晶体管，该 第一晶体管具有与该电平位移器电路的第一输出端耦接的一栅极，其中该第 一晶体管用以接收一第一电源电压；一第二型的一第二晶体管，与该第二晶 体管具有与该电平位移器电路的一第二输出端耦接的一栅极，其中该第二晶 体管耦接至该第一晶体管；以及该第一型的一第三晶体管，该第三晶体管具 有与该电平位移器电路的一第三输出端耦接的一栅极，其中该第三晶体管用 以接收一第二电源电压。

本发明另提供一种存取存储器电路的方法，该存储器电路具有至少一存 储器单元，用以存储代表一数据的一电荷。该存取存储器电路的方法包括： 在该存储器单元一存取周期前的一待命期间，提供一脉冲至介于一位线对间 的至少一位线平衡晶体管以大体平衡该位线对的电压。

本发明的有益效果在于，上述位线平衡电路可在待命期间提供一内部电 源电压，将该内部电源电压施加于位线平衡晶体管可有效地降低位线平衡晶 体管栅极与基体间的漏电流；当检测到阵列启动信号时，位线平衡电路可提 供脉冲以大体平衡位线及反位线的电压，位线及反位线的电压的大体平衡可 有效地避免位线及反位线的电压差造成的感测错误。

附图说明

图1为存储器电路的示意图；

图2为说明对一存储器单元的数据进行连续存取的时序图；

图3为说明对一存储器单元的数据进行非连续存取的时序图；

图4为一位线平衡电路示意图；

图5为说明对一存储器单元的数据进行连续存取的BLEQ时序图；

图6为说明对一存储器单元的数据进行非连续存取的BLEQ时序图；

图7为包括示范存储器电路的系统的示意图。

【附图标记说明】

100～存储器电路；

101～位线平衡电路；

101a～存储器单元；

110～位线平衡电路；

120a～平衡晶体管；

120b～平衡晶体管；

120c～平衡晶体管；

401～第一转换检测器；

403～第二转换检测器；

405～第一延迟电路；

407～第二延迟电路；