[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括：

在基底中形成隔离区域以形成有源区域，其中该有源区域的侧壁被该 隔离区域围住；

蚀凹该隔离区域以露出该有源区域的侧壁的第一部分；

以间隔物覆盖该有源区域的侧壁的第一部分；

蚀刻该隔离区域以露出该有源区域的侧壁的第二部分，该第二部分设 置在该第一部分的下方；

蚀刻该有源区域穿过该侧壁露出的第二部分以形成横向开口；以及

以旋涂式介电质填充该横向开口。

2.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中蚀刻该有源区域 包括以非等向或部分地非等向蚀刻化学物进行蚀刻。

3.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，还包括在该有源区域 中形成源极/漏极区域，其中该源极/漏极区域的部分底表面设置在该旋涂式 介电质上。

4.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中该横向开口形成 T形有源区域，该T形有源区域的横向部分包括晶体管的源极/漏极区域与 通道区域，其中该T形有源区域的横向部分经由该T形有源区域的垂直部 分而与该基底耦合。

5.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，还包括在填充该横向 开口之后加热该基底，其中多个横向开口合并以形成有源区域岛，该有源 区域岛通过该旋涂式介电质而与该基底分开。

6.一种制造半导体装置的方法，包括：

在基底中形成隔离沟槽；

以介电材料部分地填充该隔离沟槽；

以间隔物覆盖未被填充的隔离沟槽的侧壁；

蚀凹该介电材料以露出该间隔物下方的该隔离沟槽更深的侧壁；

蚀刻该基底穿过该隔离沟槽露出的更深的侧壁以形成横向开口；以及

以旋涂式介电质覆盖该基底，该旋涂式介电质填充该横向开口。

7.如权利要求6所述的制造半导体装置的方法，还包括在填充该横向 开口后加热该基底，其中多个横向开口合并以形成有源区域岛，该有源区 域岛通过该旋涂式介电质而与该基底分开。

8.如权利要求6所述的制造半导体装置的方法，还包括在有源区域中 形成源极/漏极区域，其中该隔离沟槽分开多个有源区域，该源极/漏极区域 的部分底表面设置在该旋涂式介电质上。

9.如权利要求6所述的制造半导体装置的方法，其中以介电材料部分 地填充该隔离沟槽包括：

以该介电材料填充该隔离沟槽以形成隔离区域，该隔离区域分开多个 有源区域；以及

蚀凹该隔离区域以露出该有源区域的侧壁的第一部分，该有源区域的 侧壁露出的第一部分包括该未被填充的隔离沟槽的侧壁。