[发明专利]含逆槽沟、源极接地及源体短路电极的半导体器件及方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

一个逆槽沟场效应晶体管半导体器件，它包括半导体基底和设置在基 底底上的源极和设置在基底顶上的漏极，起降压变流器的高端场效应管功 能；

一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管器件，它具有设置在所述半 导体基底上的漏极来跟所述逆槽沟场效应晶体管半导体器件集成，起降压 变流器的低端场效应管功能；

起高端场效应管半导体器件功能的所述逆槽沟场效应晶体管半导体 器件，以及起低端场效应管功能的所述功率金属氧化物半导体场效应晶体 管器件，被集成在所述半导体基底的单一管芯上，使得所述逆槽沟场效应 晶体管半导体器件的源极跟所述功率金属氧化物半导体场效应晶体管器 件的漏极直接电连接在所述半导体基底的底面，从而使得所述降压变流器 制造成为在所述单一管芯上的单个芯片。

2.如权利要求1的集成电路器件，其中：

所述低端场效应管还包括一个集成肖特基二极管。

3.如权利要求2的集成电路器件，其中：所述肖特基二极管是带槽沟的肖特 基二极管。

4.如权利要求1的集成电路器件，其中：

所述功率金属氧化物半导体场效应晶体管器件包括被所述半导体基 底的顶面附近的源区围绕的槽沟门极，它被所述功率金属氧化物半导体场 效应晶体管器件的体区所包围。

5.一种制备降压变流器所应用的集成电路器件的方法，包括：

在同一块基底上同时制备一个起高端场效应管功能的逆槽沟的场效 应晶体管半导体器件以及一个起低端场效应管功能的场效应管器件，通过 将所述逆槽沟的场效应晶体管半导体器件的源极形成到所述基底的底面 上以便直接电连接到所述场效应管器件的漏极；

所述同时制备所述逆槽沟的场效应晶体管半导体器件以及所述场效 应管器件的步骤还包括步骤：将该逆槽沟的场效应晶体管半导体器件及该 场效应管器件集成到该半导体基底的同一管芯上，从而可以不用铅框而将 所述降压变流器制备成在单一管芯上的单个芯片。

6.如权利要求5的方法，其中：

所述同时制备所述逆槽沟的场效应晶体管半导体器件以及所述场效 应管器件的步骤还包括集成肖特基二极管的步骤。