[发明专利]一类红外非线性光学晶体Ln4GaSbS9有效

专利信息
申请号: 201010116381.1 申请日: 2010-03-02
公开(公告)号: CN102191554A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 吴立明;陈梅春;吴新涛;陈玲 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B1/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一类 红外 非线性 光学 晶体 ln sub gasbs
【权利要求书】:

1.一类红外非线性光学晶体,其特征在于:分子式为Ln4GaSbS9,Ln为Pr,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho中的一种,属正交晶系,空间群为Aba2。

2.一类如权利要求1所述的红外非线性光学晶体,其特征在于:该红外非线性光学晶体由无限阴离子链[GaSbS6]212-垂直[010]面堆积排列形成的,稀土原子填充在链间,通过RE-S键连接形成三维网络结构;[GaSbS6]212-链的结构为[GaS4]5-四面体和二聚体[Sb2S6]6-通过共用一个S原子形成的,两个GaS4四面体之间共用一个S原子;Sb3+上的立体活性孤对电子使SbS4形成了扭曲的四方锥结构,GaS4四面体亦是扭曲的结构;稀土和硫形成了高配位的多面体结构。

3.按权利要求1所述的红外非线性光学晶体的制备方法,该制备方法为一步合成法包括如下步骤:将单质Ln,Sb,Ga,S按化学计量比称量,Ln为Pr,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho中的一种,置于小石英坩埚中,转移至大石英管中,在高真空下封管;将封好的石英管放在程序控温的管式炉中,在950℃长时间烧结反应即可得到。

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