[发明专利]在半导体衬底中形成的螺旋电感以及形成该电感的方法有效
| 申请号: | 201010115825.X | 申请日: | 2004-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN101794775A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
| 发明(设计)人: | 爱德华·B·哈里斯;斯蒂芬·W·唐尼 | 申请(专利权)人: | 艾格瑞系统有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金晓 |
| 地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 衬底 形成 螺旋 电感 以及 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
其中形成有有源区的半导体衬底(122);
覆盖在半导体衬底上的电介质层(126,132),其中所述电介质 层包括上表面;
形成于该电介质层中在所述上表面和一个有源区之间延伸的导电 通孔(124);
导线,其包括一个形成于该上表面上的电感(120)以及还包括第 一和第二端子,其中,第一和第二端子中的每一端子与一个导电通孔 电连接;以及
位于电介质层中并位于至少一部分导线下方的空隙(150),所述 空隙在半导体衬底的上表面终止,并且在空隙中设置有材料。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,被布置在所述空隙 中的材料是从电介质材料和结合材料中选择的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





