[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一导电类型的第一层，其在所述半导体衬底的表面形成并且具有高于所述半导体衬底杂质浓度的杂质浓度；

第二导电类型的第二层，其在所述半导体衬底的表面形成以与所述第一层接触并且具有高于所述半导体衬底杂质浓度的杂质浓度；

第一导电类型的电压固定层，其在所述第一层中且在所述半导体衬底的表面形成并且具有高于所述第一层杂质浓度的杂质浓度；

第二导电类型的漏极层，其在所述第二层中且在所述半导体衬底的表面形成并且具有高于所述第二层杂质浓度的杂质浓度；

第二导电类型的源极层，其位于所述电压固定层和所述漏极层之间，其在所述第一层中且在所述半导体衬底的表面形成，并且具有高于所述第一层杂质浓度的杂质浓度；

第二导电类型的电场弛豫层，其仅在所述漏极层和所述第一层之间形成以与所述漏极层接触并且具有低于所述漏极层杂质浓度和高于所述第二层杂质浓度的杂质浓度；

栅极氧化膜，其在所述半导体衬底的表面上且在所述电场弛豫层和所述源极层之间的部分中形成；

在所述栅极氧化膜上形成的栅电极，其中所述栅电极仅设置在所述第一层上并且连接到地；

第二导电类型的第一区，所述第一区具有比所述电场弛豫层的杂质浓度低的杂质浓度、在一侧末端与所述电场弛豫层接触、横过所述第一层和所述第二层之间的结界面延伸进入所述第一层并且在另一末端与沟道区接触；以及

第二导电类型的第二区，所述第二区具有与所述第一区相同的杂质浓度、在一侧末端与所述源极层接触并且在另一末端与所述沟道区接触，

其中，所述栅电极形成在夹在所述第一区和所述第二区之间的沟道区之上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述电场弛豫层的一部分中且在所述半导体衬底的表面上形成的氧化膜；以及

在所述氧化膜上形成的以与所述栅电极分离的电极。

3.如权利要求2所述的半导体器件，还包括在所述栅电极和所述电场弛豫层上方的电极之间且在所述半导体衬底的表面的第二导电类型的耐受电压调节层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述电场弛豫层在所述第二层内部形成。

5.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述电场弛豫层在所述第二层内部形成。

6.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述电场弛豫层在所述第二层内部形成。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述漏极层在所述电场弛豫层内部形成。

8.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述漏极层在所述电场弛豫层内部形成。

9.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述漏极层在所述电场弛豫层内部形成。