[发明专利]升压电路有效
申请号: | 201010115011.6 | 申请日: | 2010-01-29 |
公开(公告)号: | CN101820218A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 见谷真;宇都宫文靖 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;徐予红 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 升压 电路 | ||
1.一种升压电路,该升压电路从升压端子输出比电源电压高的 升压电压,其特征在于,
包括至少一个升压单元和放电电路,
该升压单元具有:
电荷传送晶体管,在导通状态下将输入电压作为输出电压从输出 端子输出;
输出电压升压电容,配置在所述输出端子与第一时钟端子之间, 根据所述电荷传送晶体管截止状态下的第一时钟信号的输入,将所述 输出电压升压;
控制晶体管,对所述电荷传送晶体管进行导通/截止控制;
栅极电压升压电容,配置在第二时钟端子与所述电荷传送晶体管 的栅极之间,根据第二时钟信号的输入将所述电荷传送晶体管的栅极 电压升压,使所述电荷传送晶体管成为导通状态;以及
复位晶体管,通过施加于栅极的所述电源电压而成为导通状态, 使所述电荷传送晶体管的栅极复位到所述电源电压,所述复位晶体管 是耗尽型NMOS晶体管,
该放电电路在升压动作结束后,使所述升压端子放电,
所述复位晶体管,源极连接到所述升压端子,在所述栅极上被施 加所述电源电压且源极上被施加所述升压电压时成为导通状态,使作 为漏极的所述电荷传送晶体管的栅极电压返回到所述电源电压,
在升压动作结束后,所述放电电路使所述升压端子的电压从所述 升压电压返回到所述电源电压。
2.一种升压电路,该升压电路从升压端子输出比电源电压高的 升压电压,其特征在于:
包括至少一个升压单元和放电电路,
该升压单元具有:
电荷传送晶体管,在导通状态下将输入电压作为输出电压从输出 端子输出;
输出电压升压电容,配置在所述输出端子与第一时钟端子之间, 根据所述电荷传送晶体管截止状态下的第一时钟信号的输入,将所述 输出电压升压;
控制晶体管,对所述电荷传送晶体管进行导通/截止控制;
栅极电压升压电容,配置在第二时钟端子与所述电荷传送晶体管 的栅极之间,根据第二时钟信号的输入将所述电荷传送晶体管的栅极 电压升压,使所述电荷传送晶体管成为导通状态;以及
复位晶体管,通过施加于栅极的所述电源电压而成为导通状态, 使所述电荷传送晶体管的栅极复位到所述电源电压,所述复位晶体管 是耗尽型NMOS晶体管,
该放电电路在升压动作结束后,使所述升压端子放电,
所述复位晶体管在栅极和源极上被施加所述电源电压时成为导 通状态,使作为漏极的所述电荷传送晶体管的栅极电压返回到所述电 源电压,
在升压动作结束后,所述放电电路使所述升压端子的电压从所述 升压电压返回到所述电源电压。
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