[发明专利]一种用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品的方法有效

专利信息
申请号: 201010114721.7 申请日: 2010-02-26
公开(公告)号: CN101823884A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 肖汉宁;郭文明;高朋召 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622;C04B35/565
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 马强
地址: 410082 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 浸渍 裂解 法制 高密度 再结晶 碳化硅 制品 方法
【权利要求书】:

1.一种用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品的方法,包括以下步骤:

(1)将密度为2.45g/cm3~2.70g/cm3的普通再结晶碳化硅制品清洗干净,并在100℃~120℃下干燥;

(2)将分子量为1200~3000的聚碳硅烷溶解于二甲苯溶液中,再加入平均粒径为0.5微米~2微米的碳化硅微粉,配制成含碳化硅微粉、聚碳硅烷和二甲苯的浸渍浆料,其质量分数为:

碳化硅微粉    10~50份,

聚碳硅烷      20~50份,

二甲苯        50~75份;

(3)将经步骤(1)处理的再结晶碳化硅制品置于真空浸渍室内,启动真空泵,待真空室内的压力小于10Pa时,将浸渍浆料吸入真空室内,使溶液完全浸没再结晶碳化硅制品,根据产品厚度不同,每次浸渍时间为15分钟~60分钟;

(4)将浸渍后的再结晶碳化硅制品取出,在60℃~90℃下干燥,即完成一个浸渍周期;

(5)根据制品的气孔率和密度要求,重复步骤(3)和步骤(4);每重复一次步骤(3)和步骤(4)为1个浸渍周期,重复2个至6个浸渍周期,得浸渍再结晶碳化硅制品;

(6)将浸渍再结晶碳化硅制品置于真空气氛炉中,在真空条件下以每分钟5℃~10℃的速率升温至700℃~800℃,保持1小时~2小时,使聚碳硅烷裂解;待聚碳硅烷裂解完成后,通入氩气至大气压力,再以每分钟5℃~10℃的速率升温至1400℃~2400℃,得到高密度再结晶碳化硅制品。

2.根据权利要求1所述用浸渍裂解法制备高密度再结晶碳化硅制品的方法,其特征是,所述高密度再结晶碳化硅制品的体积密度为2.85~2.95g/cm3,其开口气孔率为3~5%,室温抗弯强度为110~130MPa,1400℃的高温抗弯强度为130~150MPa。

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