[发明专利]芯片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片封装体，包括：

承载基板；

至少一半导体芯片，设置于该承载基板上，其中该半导体芯片具有多个导电垫；

多个第一重布局层，对应设置于该半导体芯片上并与该多个导电垫电连接；

单层绝缘结构，设置于该承载基板上，并覆盖该半导体芯片，且跨于该多个第一重布局层上，其中该单层绝缘结构具有多个第一开口以暴露出该多个第一重布局层；

多个第二重布局层，设置于该单层绝缘结构上，并经由该多个第一开口而电连接至该多个第一重布局层；

第一保护层，设置于该单层绝缘结构上并覆盖该多个第二重布局层，其中该第一保护层具有多个第二开口以暴露出该多个第二重布局层；以及

多个导电凸块，对应设置于该多个第二开口内，并经由该多个第二开口而电连接至该多个第二重布局层。

2.如权利要求1所述的芯片封装体，还包括一防滑结构，设置于该承载基板上且围绕该半导体芯片。

3.如权利要求2所述的芯片封装体，其中该防滑结构包括至少两个岛状物，分别邻近于或接触该半导体芯片的两个对角、两个对边或两个邻边。

4.如权利要求3所述的芯片封装体，其中该防滑结构的岛状物具有L型的上视轮廓且邻近于该半导体芯片的角落。

5.如权利要求2至4任一项所述的芯片封装体，其中该防滑结构包括金属材料或绝缘材料。

6.如权利要求5所述的芯片封装体，其中该多个第一重布局层为扇入型重布局层，且该多个第二重布局层为扇出型重布局层。

7.如权利要求6所述的芯片封装体，还包括一第二保护层，设置于该半导体芯片与该多个第一重布局层之间，其中该第二保护层具有多个第三开口，暴露出该多个导电垫，且该多个第一重布局层经由该多个第三开口而电连接至该多个导电垫。

8.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该承载基板为一空白硅基底。

9.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该单层绝缘结构包括环氧树脂材料、聚醯亚胺树脂或苯环丁烯。

10.一种芯片封装体的制造方法，包括：

提供至少一半导体芯片在一承载基板上，其中该半导体芯片具有多个导电垫；

在该半导体芯片上形成与该多个导电垫电连接的多个第一重布局层；

在该承载基板上形成一单层绝缘结构，并覆盖该半导体芯片，且跨于该多个第一重布局层上；

定义该单层绝缘结构以形成多个第一开口，暴露出该多个第一重布局层；

在该单层绝缘结构上形成多个第二重布局层，使该多个第二重布局层经由该多个第一开口而电连接至该多个第一重布局层；

在该单层绝缘结构上形成一第一保护层，并覆盖该多个第二重布局层；

定义该第一保护层以形成多个第二开口，暴露出该多个第二重布局层；以及

在该多个第二开口内对应形成多个导电凸块，使该多个导电凸块经由该多个第二开口而电连接至该多个第二重布局层。

11.如权利要求10所述的芯片封装体的制造方法，还包括在该承载基板上形成一防滑结构，且该防滑结构围绕该半导体芯片。

12.如权利要求11所述的芯片封装体的制造方法，其中该防滑结构包括至少两个岛状物，分别邻近于或接触该半导体芯片的两个对角、两个对边或两个邻边。

13.如权利要求12所述的芯片封装体的制造方法，其中该防滑结构的岛状物具有L型的上视轮廓且邻近于该半导体芯片的角落。

14.如权利要求11至13任一项所述的芯片封装体的制造方法，其中该防滑结构包括金属材料或绝缘材料。

15.如权利要求14所述的芯片封装体的制造方法，其中该多个第一重布局层为扇入型重布局层，且该多个第二重布局层为扇出型重布局层。

16.如权利要求15所述的芯片封装体的制造方法，还包括：

在该半导体芯片与该多个第一重布局层之间形成一第二保护层；

定义该第二保护层以形成多个第三开口，以暴露出该多个导电垫，且该多个第一重布局层经由该多个第三开口而电连接至该多个导电垫。

17.如权利要求10所述的芯片封装体的制造方法，其中该承载基板为一空白晶片。