[发明专利]鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法以及集成电路结构

权利要求书

1.一种鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法，包括：

提供包括一漏极、一栅极、一源极以及位于该漏极与该源极之间的一通 道的该鳍型场效应晶体管熔丝；以及

施加一编程电压于该鳍型场效应晶体管熔丝的该源极与该漏极之间，以 于该鳍型场效应晶体管熔丝的该通道内形成穿透效应，

其中，该穿透效应为导致通道内的电流路径的实体瓦解。

2.如权利要求1所述的鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法，还包括于施 加该编程电压时，施加低于该鳍型场效应晶体管熔丝的一临界电压的一栅电 压于该栅极，以关闭该鳍型场效应晶体管熔丝。

3.如权利要求2所述的鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法，其中关闭该 鳍型场效应晶体管熔丝包括接地该栅极与剩余的该源极与该漏极其中之一 或者维持该栅极为浮置。

4.如权利要求1所述的鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法，还包括测定 该鳍型场效应晶体管熔丝的编程状态，其中测定该鳍型场效应晶体管熔丝的 编程状态包括：

提供一参考鳍型场效应晶体管熔丝；

施加一第一栅电压于该鳍型场效应晶体管熔丝的该栅极，以及施加一第 二栅电压于该参考鳍型场效应晶体管熔丝的一栅极，其中该第一栅电压与该 第二栅电压分别大于该鳍型场效应晶体管熔丝与该参考鳍型场效应晶体管 熔丝的临界电压；以及

比较该鳍型场效应晶体管熔丝的一漏极电压与该参考鳍型场效应晶体 管熔丝的一漏极电压。

5.如权利要求1所述的鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法，还包括测定 该鳍型场效应晶体管熔丝的编程状态，其中测定该鳍型场效应晶体管熔丝的 编程状态包括：

施加一电压于该鳍型场效应晶体管熔丝的该漏极与该栅极之间；

测定该鳍型场效应晶体管熔丝的一漏极电流；以及

比较该漏极电流与一预先决定参考漏电流。

6.如权利要求1所述的鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法，其中该鳍型 场效应晶体管熔丝为包括依照行与列方向排列的多个鳍型场效应晶体管熔 丝的一鳍型场效应晶体管熔丝阵列物，且其中该鳍型场效应晶体管熔丝阵列 物还包括：

相互平行的多个字元线，所述多个字元线依一第一方向延伸；

相互平行的多个读取线，所述多个读取线依垂直于该第一方向的一第二 方向延伸；以及

相互平行的多个位元线，所述多个位元线依该第二方向延伸，其中所述 多个鳍型场效应晶体管熔丝分别包括：

一栅极，连结于所述多个读取线之一；

一第一源极/漏极区，连结于所述多个读取线之一；以及

一第二源极/漏极区，连结于所述多个位元线之一。

7.一种鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法，包括：

提供包括一漏极、一栅极与一栅介电物的该鳍型场效应晶体管熔丝；

施加一低电压于该栅极，以关闭该鳍型场效应晶体管熔丝；

于关闭该鳍型场效应晶体管熔丝时，施加一编程电压于该鳍型场效应晶 体管熔丝的该源极与该漏极其中之一，以于该鳍型场效应晶体管熔丝内形成 穿透效应，其中该栅介电物并未为该编程电压所崩溃；以及

测定该鳍型场效应晶体管熔丝的编程状态，该编程状态为该鳍型场效应 晶体管熔丝处于已穿透状态或者未穿透状态，

并且其中，该鳍型场效应晶体管熔丝通过以下方式达到已穿透状态：施 加一编程电压于该鳍型场效应晶体管熔丝的一源极与一漏极之间，以于该鳍 型场效应晶体管熔丝的一通道内形成穿透效应，

其中，该穿透效应为导致通道内的电流路径的实体瓦解。

8.如权利要求7所述的鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法，其中关闭该 鳍型场效应晶体管熔丝包括接地剩余的该源极与该漏极之一以及接地该鳍 型场效应晶体管熔丝的该栅极。

9.如权利要求7所述的鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法，其中该测定 该编程状态包括测定该鳍型场效应晶体管熔丝的漏电流。