[发明专利]搬送腔室和颗粒附着防止方法有效
| 申请号: | 201010113903.2 | 申请日: | 2010-02-09 |
| 公开(公告)号: | CN101800187B | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
| 发明(设计)人: | 山涌纯;及川纯史;中山博之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 搬送腔室 颗粒 附着 防止 方法 | ||
1.一种搬送腔室,其设置于在减压环境中对被处理基板实施规定 处理的减压处理部和将被处理基板保持在大气压环境中的大气系统保 持部之间,在所述减压处理部和所述大气系统保持部之间搬送所述被 处理基板,所述搬送腔室的特征在于,包括:
腔室主体,其收纳所述被处理基板;
排气装置,其为了使所述腔室主体的内部为所述减压环境,进行 从所述腔室主体的排气;
气体供给装置,其为了使所述腔室主体的内部为所述大气压环境, 将规定的气体供给至所述腔室主体;
离子化气体供给装置,其在所述腔室主体的外部具备使所述规定 的气体离子化的离子化装置,将在所述离子化装置中产生的离子化气 体供给至所述腔室主体。
2.一种颗粒附着防止方法,其是使用搬送腔室在减压处理部和大 气系统保持部之间搬送被处理基板时防止颗粒向所述被处理基板附着 的方法,所述搬送腔室包括设置于在减压环境中对被处理基板实施规 定处理的减压处理部和将被处理基板保持在大气压环境中的大气系统 保持部之间、内部能够在减压环境和大气压环境之间进行切换的腔室 主体,用于在所述减压处理部和所述大气系统保持部之间搬送被处理 基板,所述颗粒附着防止方法的特征在于,包括:
收纳步骤,其将被处理基板收纳于所述腔室主体;
除电步骤,一边将在所述腔室主体的外部产生的离子化气体供给 至所述腔室主体,一边从所述腔室主体排气,对所述被处理基板进行 除电。
3.如权利要求2所述的颗粒附着防止方法,其特征在于:
所述收纳步骤通过将所述被处理基板从所述减压处理部搬入所述 腔室主体来进行,
在所述除电步骤中,一边将所述离子化气体供给至所述腔室主体, 一边从所述腔室主体排气,由此使所述腔室主体从所述减压环境向所 述大气压环境转变。
4.如权利要求2所述的颗粒附着防止方法,其特征在于:
所述收纳步骤通过将所述被处理基板从所述大气系统保持部搬入 所述腔室主体来进行,
在所述除电步骤中,一边将所述离子化气体供给至所述腔室主体, 一边从所述腔室主体排气,由此使所述腔室主体的内部从所述大气压 环境向所述减压环境转变。
5.如权利要求4所述的颗粒附着防止方法,其特征在于:
在所述除电步骤中,通过反复进行减压和升压,使所述腔室主体 的内部从所述大气压环境向所述减压环境转变。
6.如权利要求2~5中任一项所述的颗粒附着防止方法,其特征在 于:在所述除电步骤中,作为所述离子化气体,使用将为了调整所述 腔室主体的压力而被供给至所述腔室主体的清扫气体离子化而产生的 气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





