[发明专利]射频金属-氧化物-半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 201010113496.5 | 申请日： | 2010-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102169895A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 廖英豪;傅春晓;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
1.一种射频金属氧化物半导体场效应晶体管，包括源极、漏极、栅极和衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，其特征在于，还包括连接源极及源端的源金属层、连接漏极及漏端的漏金属层和连接侧栅及栅输入端的侧栅金属层，其中
源金属层覆盖并延伸出源极，其在有源区的投影与漏极和子栅无交叠；
漏金属层覆盖并延伸出漏极，其在有源区的投影与源极和子栅无交叠；
侧栅金属层覆盖并延伸出侧栅，其在有源区的投影与源极和漏极无交叠；以及
源金属层、漏金属层及栅金属层中，由相同层金属形成的部分无交叉。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源金属层的结构为：覆盖于源极上的源金属层由第一层金属及第二层金属连接形成，延伸出源极的源金属层由第二层金属形成；以及
所述漏金属层的结构为：覆盖于漏极上的漏金属层由第一层金属及第二层金属连接形成，延伸出漏极的漏金属层为第二层金属形成。
栅输入端由相互连接的栅第一金属层和栅第二金属层构成，其中栅第一金属层由第一层金属形成，栅第二金属层由第二层金属形成，且栅第一金属层连接至侧栅金属层；及
源端和漏端均由第二金属层形成。
3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述侧栅有两条，其中一条侧栅上覆盖有侧栅金属层，另一条侧栅未覆盖侧栅金属层。
4.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，源金属层向侧栅金属层的方位，漏金属层向未覆盖侧栅金属层的侧栅的方位延伸；以及
源金属层的结构为：覆盖于源极上的部分由第一层金属及第二层金属连接形成，延伸出源极的部分由第二层金属形成；
源端由第二层金属形成；
漏金属层由第一层金属形成；
漏端由第一层金属及第二层金属连接形成，其中漏端的第一层金属与漏金属层连接。
5.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，漏金属层向侧栅金属层的方位，源金属层向未覆盖侧栅金属层的侧栅的方位延伸；以及
漏金属层的结构为：覆盖于漏极上的部分由第一层金属及第二层金属连接形成，延伸出漏极的部分由第二层金属形成；
漏端由第二层金属形成；
源金属层由第一层金属形成；
源端由第一层金属及第二层金属连接形成，其中源端的第一层金属与源金属层连接。
6.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述侧栅有两条；以及
各个侧栅上均有侧栅金属层；以及
所有侧栅金属层均连接至栅输入端。
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