[发明专利]超导材料和超导器件无效
| 申请号： | 201010113121.9 | 申请日： | 2010-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102163797A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李强 | 申请（专利权）人： | 田多贤 |
| 主分类号： | H01S4/00 | 分类号： | H01S4/00 |
| 代理公司： | 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超导 材料 器件 | ||
1.一种超导晶体材料/器件，其包括超导晶体，其特征在于进一步包括提高所述晶体材料的的离子链(偶极子链)的声子强度的装置。
2.如权利要求1所述的超导晶体材料/器件，其特征在于提高所述晶体材料的的离子链(偶极子链)的声子强度的装置包括一个声子谐振腔
3.如权利要求2所述的超导晶体材料/器件，其特征在于所述声子谐振腔包括分别设置在所述声子谐振腔的两端的声子反射装置/反射界面。
4.如权利要求3所述的超导晶体材料/器件，其特征在于所述两个反射装置/反射界面的间距满足所述声子的相长干涉的调节。
5.如权利要求4所述的超导晶体材料/器件，其特征在于所述反射装置/反射界面的法线方向沿着所述超导晶体材料中的电流的传播方向。
6.如权利要求4所述的超导晶体材料/器件，其特征在于所述反射装置/反射界面的法线方向沿着与超导晶体材料中电流的传播方向交叉或垂直的一或多个方向。
7.如权利要求4所述的超导晶体材料/器件，其特征在于所述反射装置/反射界面的法线方向沿着与超导晶体材料中电流的传播方向交叉或垂直的一或多个方向。
8.如权利要求4所述的超导晶体材料/器件，其特征在于所述反射装置/反射界面可以由与超导晶体材料不同的晶体或非晶材料构成，并可以通过晶体生长、淀积、喷射、溅射等方式施加到所述超导晶体材料上。
9.如权利要求4所述的超导晶体材料/器件，其中所述反射装置/反射界面的间距能为上述“光学”波提供相长干涉，且进一步包括设置在所述谐振腔内部的声子激发装置(泵浦)装置，以提升声子流的强度。
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