[发明专利]液晶显示装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于并且要求于2009年2月4号提交的在先日本专利申请No.2009-024073的优先权，在此通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示装置，更具体而言，涉及一种垂直配向(VA)模式型液晶显示装置。

背景技术

因为显示装置具有诸如亮度、紧致性以及低功耗的优点，所以液晶显示装置广泛地用作诸如个人计算机、OA设备以及电视机的各种设备的显示装置。近年来，液晶显示装置还已经用在诸如移动手机、汽车导航装置和游戏机的移动终端设备中。

为了获得高质量的显示，在液晶显示装置中要求诸如宽视角和高对比度的其它特征。最近，已经使用了利用其中像素包括多个域的多域垂直配向(MVA)模式的多域型液晶显示装置。在这种类型的液晶显示装置中，通过多域实现了宽视角。此外，因为液晶材料的延迟变得几乎为零，所以获得导致更完整的黑色显示的高对比度。通过采用垂直配向处理，在相对于基板的水平方向上对配向膜周围的液晶分子进行配向。

例如，日本特许公开专利申请No.2008-197493公开了一种通过在像素电极或相对电极中设置缝或突出来使用MVA模式的半透射型LCD。在该垂直配向型LCD中，容纳液晶层的单元间隙中的改变造成液晶分子的配向缺陷，这可能导致诸如透射率、白色显示情况下的显色或发光度不均匀的改变的不良显示。

发明内容

本发明已经解决了上述问题。本发明的一个目的是提供一种具有多域结构的垂直配向(VA)模式型液晶显示装置。

因而，根据本发明的一方面，提供一种液晶显示装置，包括：阵列基板，所述阵列基板具有彼此相邻设置的第一和第二像素电极；相对基板，所述相对基板具有相对于所述第一和第二像素电极的相对电极；第一缝，所述第一缝形成在相对于所述第一像素电极的所述相对电极中，以穿过所述第一像素电极；第二缝，所述第二缝形成在相对于所述第二像素的所述相对电极中，以穿过所述第二像素电极，所述第二缝被设置成与所述第一缝成直线，且所述相对电极由所述成直线的第一缝和第二缝分为第一相对电极部分和第二相对电极部分；连接相对电极，所述连接相对电极被设置在所述第一缝和第二缝之间，以连接所述第一和第二相对像素电极部分；圆柱形间隔体，所述圆柱形间隔体相对于所述连接相对电极部分设置在所述第一缝和第二缝之间，以形成所述阵列基板和所述相对电极之间的单元间隙；以及形成在所述单元间隙中的液晶层。

根据本发明的第二方面，提供一种用于制造液晶显示装置的方法，包括：提供具有彼此相邻设置的第一和第二像素电极的阵列基板；提供具有相对于所述第一和第二像素电极的相对电极的相对基板；相对于所述第一像素电极在所述相对电极中形成第一缝，以穿过所述第一像素电极；相对于所述第二像素在所述相对电极中形成第二缝，以穿过所述第一像素电极，所述第二缝被设置成与所述第一缝成直线，且通过所述成直线的第一缝和第二缝，所述相对电极分为第一相对电极部分和第二相对电极部分；提供设置在所述第一缝和第二缝之间的连接相对电极部分，以连接所述第一和第二相对电极部分；在所述阵列基板和所述相对基板中的任一上形成柱形间隔体，所述柱形间隔体相对于所述连接相对电极部分被设置在所述第一缝和第二缝之间，以在所述阵列基板和所述相对基板之间形成单元间隙；在所述阵列基板和所述相对基板中的任一上形成环路形状的密封元件；滴入预定量的液晶材料到由所述密封元件围绕的区域；在真空状态下结合所述阵列基板和所述相对基板，并且将已结合的阵列基板和所述相对基板从所述真空状态返回至大气压状态。

附图说明

并入本发明中并构成本发明的一部分的附图用于说明本发明的实施例，并与上面给出的概括描述和后面给出的实施例的详细描述一起解释本发明的原理。

图1是示出了使用根据本发明的实施例的MVA模式的液晶显示装置的示意性方框图。

图2是图1中所示的液晶显示装置中所使用的阵列基板和相对基板的截面图。

图3是示出了根据本发明的实施例的MVA模式的配向控制的实现的截面图。

图4是示出了沿着图5中的线III-IIII截取的根据本发明的实施例的液晶显示装置的截面图。

图5是示出了图4中所示的液晶显示装置的平面图。

图6是示出了图5中所示的液晶显示装置的相对电极的结构的平面图。

具体实施方式

现在将参考附图来描述根据本发明的示意性实施例的液晶显示装置，在附图中多个视图中的相同或类似的附图标记表示相同或对应的部分。