[发明专利]非真空制作铜铟镓硒和/或硫的太阳能电池无效
| 申请号： | 201010111493.8 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101820029A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 陈文仁;杨益郎;林群福 | 申请（专利权）人： | 昆山正富机械工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 215332 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 制作 铜铟镓硒 太阳能电池 | ||
1.一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的方法，包括下列步骤：
(1)首先，依据配方比例，混合含IB、IIIA和VIA族元素的二成份或三成份或四成份粉末，以形成含铜铟镓硒和/或硫原始混合粉末，且该IB族元素包括铜，该IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料，该VIA族元素包括硒或硫或硒硫混合材料；
(2)在原VIA元素比例的基础上，再添加额外的VIA族元素粉末至该原始混合粉末中，并进行混合以形成最后混合粉末；
(3)添加溶剂至该最后混合粉末中并进行搅拌，形成含有IB、IIIA及VIA族元素的铜铟镓硒和/或硫浆料；
(4)以非真空涂布法将上述铜铟镓硒和/或硫浆料涂布在钼金属层上，软烤后形成铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层；
(5)接着经快速退火炉以快速升温速率，将含铜铟镓硒和/或硫光吸收预制层的基板加热退火长晶以形成铜铟镓硒和/或硫光吸收层；
(6)再沉积一定厚度硫化镉或硫化锌于光吸收层上，以使完全覆盖铜铟镓硒和/或硫光吸收层；
(7)最后再沉积ZnO和AZO以完成铜铟镓硒和/或硫太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的非真空制作铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的方法，其特征在于所述原始混合粉末配方比例为IB、IIIA及VIA族元素的摩尔比例等于0.9～1.0∶1.0∶2.0。
3.根据权利要求1所述的非真空制作铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的方法，其特征在于所述最后混合元素比例为IB、IIIA及VIA族元素的摩尔比例等于1.0∶1.0∶X，其中X为2.0至4.0之间。
4.根据权利要求1所述的非真空制作铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的方法，其特征在于所述溶剂包括醇类、醚类、酮类或混合所述二种以上溶剂的至少其中之一。
5.根据权利要求1所述的非真空制作铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的方法，其特征在于所述快速退火炉升温速率介于每分钟升温10～50℃之间。
6.根据权利要求1所述的非真空制作铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的方法，其特征在于所述快速退火炉操作温度介于400～800℃之间。
7.根据权利要求1所述的非真空制作铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的方法，其特征在于所述快速退火炉操作时间介于5～50分钟之间。
8.根据权利要求1所述的非真空制作铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的方法，其特征在于所述沉积硫化镉或硫化锌的厚度介于30～100纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
