[发明专利]不含界面活性剂的太阳能吸收层浆料的制造方法及应用无效
| 申请号: | 201010111483.4 | 申请日: | 2010-02-11 |
| 公开(公告)号: | CN101901852A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
| 发明(设计)人: | 陈文仁;林群福;杨益郎 | 申请(专利权)人: | 昆山正富机械工业有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 215332 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 界面 活性剂 太阳能 吸收 浆料 制造 方法 应用 | ||
1.一种不含界面活性剂的太阳能吸收层粉末浆料的制造方法,其特征在于其包括以下步骤:
混合含IB族、IIIA族及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成原始含IB族、IIIA族及VIA族元素的一混合粉末,且该混合粉末中的IB族、IIIA族及VIA族元素具有一第一组成比例;
在该混合粉末中添加额外的VIA族元素粉末,并进行混合,以形成一最后混合粉末,且该最后混合粉末中的IB族、IIIA族及VIA族元素具有一第二组成比例,其中该最后混合粉末中的VIA族元素所占的比例大于该混合粉末中的VIA族元素所占的比例;以及
将该最后混合粉末进行多阶段的研磨步骤,以形成具有均匀粒度的纳米等级的太阳能吸收层粉末浆料。
2.根据权利要求1所述的不含界面活性剂的太阳能吸收层粉末浆料的制造方法,其特征在于其中所述的混合粉末中的第一组成比例为IB族∶IIIA族∶VIA族元素的莫耳比例=1.0∶1.0∶2.0。
3.根据权利要求2所述的不含界面活性剂的太阳能吸收层粉末浆料的制造方法,其特征在于其中所述的最后混合粉末中的第二组成比例为IB族∶IIIA族∶VIA族元素的莫耳比例=1.0∶1.0∶X,其中X介于2.0至4.0之间。
4.根据权利要求3所述的不含界面活性剂的太阳能吸收层粉末浆料的制造方法,其特征在于其中所述的多阶段的研磨步骤至少包括以下步骤:
利用第一尺寸的研磨件将该最后混合粉末进行第一阶段研磨步骤;以及
利用第二尺寸的研磨件将该最后混合粉末进行第二阶段研磨步骤,以形成纳米等级的太阳能吸收层粉末浆料。
5.根据权利要求4所述的不含界面活性剂的太阳能吸收层粉末浆料的制造方法,其特征在于其中所述的第一尺寸的研磨件为粒径1至5公厘的氧化铝或氧化锆研磨球;该第二尺寸的研磨件为粒径0.1至0.5公厘的氧化铝或氧化锆研磨球。
6.根据权利要求5所述的不含界面活性剂的太阳能吸收层粉末浆料的制造方法,其特征在于其中在第二阶段研磨的步骤中,更添加易挥发的溶剂于该最后混合粉末中,以形成平均粒径在500纳米以下的太阳能吸收层粉末浆料。
7.根据权利要求3所述的不含界面活性剂的太阳能吸收层粉末浆料的制造方法,其特征在于其中所述的IIIA族元素为铟元素、镓元素、或铟元素与镓元素的组合。
8.根据权利要求3所述的不含界面活性剂的太阳能吸收层粉末浆料的制造方法,其特征在于其中所述的VIA族元素可为硒元素、硫元素或硒元素与硫元素的组合。
9.根据权利要求3所述的不含界面活性剂的太阳能吸收层粉末浆料的制造方法,其特征在于其中所述的太阳能吸收层粉末浆料为铜铟镓硒浆料或铜铟镓硒(硫)浆料。
10.一种应用权利要求1所述的不含界面活性剂的太阳能吸收层粉末浆料的制造方法所制作成的太阳能吸收层粉末浆料及其太阳能吸收层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





