[发明专利]一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺

权利要求书

1.一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺，其步骤如下：

(1)将非穿通型绝缘栅双极晶体管硅片正面工艺进行完毕；

(2)采用砂轮研磨方式，从非穿通型绝缘栅双极晶体管硅片的背面，将硅片减薄 到厚度为80～250um之间，并去除应力；

(3)在硅片背面注入硅离子、锗离子或二氟化硼离子进行预非晶化处理；

(4)硅片背面经所述步骤(3)预非晶化处理后，再注入硼离子；

(5)将硅片进行炉管低温退火；

(6)采用溅射或蒸发工艺，在硅片背面生成铝薄层，并做合金处理；

(7)采用溅射或蒸发工艺，在硅片背面的铝薄层上，依次制备钛、镍、银金属层。

2.如权利要求1所述的一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺，其特 征在于：所述步骤(3)中，注入所述硅离子或锗离子其中之一时，注入的剂量范围为 2E15～2E16cm^-2，能量范围为40～200keV，注入角度为7°。

3.如权利要求1所述的一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺，其特 征在于：所述步骤(3)中，注入所述二氟化硼离子时，注入的剂量范围为1E15～5E15 cm^-2，能量范围为30～100keV，注入角度为7°。

4.如权利要求1所述的一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺，其特 征在于：所述步骤(4)中，所述硼离子的注入剂量范围为1E14～2E15cm^-2，能量范围 为30～100keV，注入角度为0～10°。

5.如权利要求1所述的一种非穿通型绝缘栅双极晶体管薄片背面制作工艺，其特 征在于：所述步骤(5)中，所述炉管的温度在400°～550°范围之间，退火时间在 30～300分钟之间。