[发明专利]带扩散解离区域的等离子体处理装置

权利要求书

1.一种带扩散解离区域的等离子体处理装置，用于生成引入气体的电感耦合 等离子体与基片(50)反应，其特征在于，包含：

真空的处理腔室(10)；

设置在处理腔室(10)的顶板(111，112，113)上方且与处理腔室 (10)贯通连接的进气通道；

所述进气通道上设置有第一线圈(31)，通入的反应气体在所述进气 通道(201，202，203)中接收第一线圈的能量产生第一等离子体；

所述第一等离子体沿进气通道被引入处理腔室(10)；

所述处理腔室(10)的顶板(111，112，113)上围绕该进气通道设 置有第二线圈(32)，通入处理腔室(10)的反应气体接收第二线圈的能 量产生第二等离子体。

2.如权利要求1所述的带扩散解离区域的等离子体处理装置，其特征在于，

所述反应气体通过进气通道(201，202，203)引入所述处理腔室(10)；

所述被处理的基片(50)放置在所述处理腔室(10)的底板(12)上。

3.如权利要求2所述的带扩散解离区域的等离子体处理装置，其特征在于，

在所述第一线圈(31)内通入交变电流以形成交变的第一感应磁场，从而 在所述进气通道(201，202，203)内部生成引入气体的电感耦合等离子 体的第一扩散解离区域(41)。

4.如权利要求3所述的带扩散解离区域的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第一感应磁场还对等离子体中的电子加速；

所述被加速的电子对等离子体中的气体分子进行一次轰击，使所述气 体分子解离生成自由基；

所述经过一次轰击的电感耦合等离子体，沿所述进气通道(201，202， 203)引入所述处理腔室(10)中。

5.如权利要求4所述的带扩散解离区域的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第二线圈(32)内通入交变电流以形成交变的第二感应磁场，在所述 处理腔室(10)的顶板(111，112，113)下方，生成从进气通道(201， 202，203)引入的经过一次轰击的电感耦合等离子体的第二扩散解离区域 (42)。

6.如权利要求5所述的带扩散解离区域的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第二感应磁场还对经过一次轰击的电感耦合等离子体中的电子加速；

所述被加速的电子对该等离子体中的气体分子进行二次轰击，使所述 气体分子解离生成自由基；

所述经过二次轰击的电感耦合等离子体与所述基片(50)反应。

7.如权利要求2所述的带扩散解离区域的等离子体处理装置，其特征在于，

所述进气通道(201)是筒状的，其与所述处理腔室(10)底板(12)上 的基片(50)的放置位置相对应，垂直设置在处理腔室(10)的顶板(111) 上。

8.如权利要求7所述的带扩散解离区域的等离子体处理装置，其特征在于，

所述进气通道(202)是上窄下宽的倒漏斗状，其通过圆锥体的侧壁底部 与处理腔室(10)的顶板(112)连接。

9.如权利要求7所述的带扩散解离区域的等离子体处理装置，其特征在于，

所述进气通道(203)是上窄下宽的喇叭状，其通过圆弧形的侧壁底部与 处理腔室(10)的顶板(113)连接。