[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 201010110208.0 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN102157404A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 刘达;王辛;沈旭昭;潘见;蔡颖 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供具有金属互连线的半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成第一钝化层，并刻蚀所述第一钝化层形成第一开口，所述第一开口暴露出所述金属互连线；
在所述第一钝化层上以及第一开口内形成金属层，并刻蚀所述金属层形成与所述金属互连线电连接的焊盘；
执行合金工艺；
在所述第一钝化层以及焊盘上形成第二钝化层，并刻蚀所述第二钝化层形成第二开口，所述第二开口暴露出所述焊盘。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述合金工艺的温度为400～500摄氏度。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述合金工艺在氢气和氮气的气氛中进行。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述合金工艺的时间为10～90分钟。
5.如权利要求1或4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一钝化层包括依次形成的氮化硅层、氧化硅层以及氮氧化硅层。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二钝化层包括依次形成的氮化硅层以及氮氧化硅层。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第一钝化层上以及第一开口内形成金属层之前，还包括：在所述第一钝化层上以及第一开口内形成阻挡层。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为钽或氮化钽。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
