[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一芯片，含有一第一区域及一第二区域；

一第一金属-绝缘层-金属电容器，位于该第一区域中，其中该第一金属- 绝缘层-金属电容器，包含：

一第一底部电极；

一第一顶部电极，位于该第一底部电极上；及

一第一电容绝缘层，邻接该第一顶部电极及该第一底部电极且位于 其间；以及

一第二金属-绝缘层-金属电容器，位于该第二区域中且与该第一金属-绝 缘层-金属电容器同一层级，其中该第二金属-绝缘层-金属电容器，包含：

一第二底部电极；

一第二顶部电极，位于该第二底部电极上；及

一第二电容绝缘层，邻接该第二顶部电极及该第二底部电极且位于 其间，其中该第一电容绝缘层及该第二电容绝缘层不同，

其中该第一电容绝缘层与该第二电容绝缘层的厚度不同，或者该第一电 容绝缘层及该第二电容绝缘层包含不同材料。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第一电容绝缘层包含相互 堆叠的一第一层及一第二层，且该第二电容绝缘层含有一厚度与该第一层相 同且由相同材料形成的膜层，且其中该第二电容绝缘层未包含任何厚度及材 料与该第二层相同的膜层。

3.如权利要求2所述的集成电路结构，还包含一第三金属-绝缘层-金属电 容器，位于该第一区域中且邻近于该第一金属-绝缘层-金属电容器，其中该 第三金属-绝缘层-金属电容器，包含：

一第三底部电极，与该第一底部电极相连接；

一第三顶部电极，位于该第三底部电极上且与该第一顶部电极相连接； 及

一第三电容绝缘层，位于该第三底部电极及该第三顶部电极之间，其中 该第三电容绝缘层及该第一电容绝缘层的该第一层形成一连续层。

4.如权利要求3所述的集成电路结构，其中该第三金属-绝缘层-金属电容 器还包含一与该第三电容绝缘层堆叠在一起的第四电容绝缘层，该第四电容 绝缘层的厚度与该第二层相同且由相同材料形成，且其中该第四电容绝缘层 及该第二电容绝缘层彼此未连接。

5.如权利要求3所述的集成电路结构，其中该第三金属-绝缘层-金属电容 器还包含一与该第三电容绝缘层堆叠在一起的第四电容绝缘层，该第四电容 绝缘层的厚度与该第二层相同且由相同材料形成，且其中该第四电容绝缘层 及该第二电容绝缘层相连接以形成一连续层。

6.如权利要求2所述的集成电路结构，其中该第一区域择自下列区域所 组成的族群：混合信号区域、模拟区域及射频区域，且其中该第二区域为一 动态随机存取存储器区域，其以该第二金属-绝缘层-金属电容器作为一存储 电容。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第一金属-绝缘层-金属电容 器及该第二金属-绝缘层-金属电容器为在一层间介电层中，且其中该集成电 路结构还包含一浅沟槽隔离区域，直接位于该第一金属-绝缘层-金属电容器 下方且具有较该第一金属-绝缘层-金属电容器更大的面积。

8.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第一金属-绝缘层-金属电容 器及该第二金属-绝缘层-金属电容器为立体电容器。

9.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第一金属-绝缘层-金属电容 器及该第二金属-绝缘层-金属电容器为平面电容器。