[发明专利]半导体芯片及其制造方法、堆叠模块和存储卡

权利要求书

1.一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：

基底，包括第一表面和面对第一表面的第二表面；

至少一个通孔，包括沿着从基底的第一表面向基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分；

至少一个通孔电极，填充所述至少一个通孔。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述至少一个通孔垂直于基底的第一表面和第二表面延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述至少一个通孔的第一部分具有齿形形状的内表面。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述至少一个通孔电极包括分别与所述至少一个通孔的第一部分和第二部分对应的第一填充部分和第二填充部分，第一填充部分具有齿形形状的外周。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其中，所述至少一个通孔电极还包括位于基底上并且连接到第一填充部分的突出部分。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其中，所述突出部分在基底的第一表面上突出。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片，还包括位于基底的第一表面上的绝缘层，

其中，所述至少一个通孔还包括连接到第一部分并且延伸穿过绝缘层的第三部分。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片，其中，所述至少一个通孔的第二部分和第三部分具有平滑的内表面，第一部分具有齿形形状的内表面。

9.根据权利要求7所述的半导体芯片，还包括位于绝缘层上的至少一个电极焊盘，

其中，所述至少一个通孔电极延伸穿过所述至少一个电极焊盘。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，所述至少一个通孔电极接触所述至少一个电极焊盘的顶表面。

11.根据权利要求1所述的半导体芯片，还包括位于基底和所述至少一个通孔电极之间的分隔绝缘层。

12.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述至少一个通孔电极垂直穿过基底。

13.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中，所述至少一个通孔电极从基底的第二表面突出。

14.一种堆叠模块，所述堆叠模块包括堆叠的多个半导体芯片，其中，每个半导体芯片包括：

基底，包括第一表面和面对第一表面的第二表面；

至少一个通孔，包括沿着从基底的第一表面向基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分；

至少一个通孔电极，填充所述至少一个通孔，

每个半导体芯片的所述至少一个通孔电极连接到相邻半导体芯片的至少一个通孔电极。

15.根据权利要求14所述的堆叠模块，其中，每个半导体芯片还包括设置在基底的第一表面上的至少一个电极焊盘，

所述至少一个通孔电极延伸穿过所述至少一个电极焊盘。

16.根据权利要求14所述的堆叠模块，其中，每个半导体芯片还包括设置在所述至少一个通孔电极上的凸点层，

每个半导体芯片的所述至少一个通孔电极延伸穿过位于所述半导体芯片下方的相邻半导体芯片的凸点层。

17.一种卡设备，所述卡设备包括：

壳；

存储单元，位于壳中；

控制器单元，位于壳中，并且被构造为控制存储单元，

其中，所述存储单元包括：

基底，包括第一表面和面对第一表面的第二表面；

至少一个通孔，包括沿着从基底的第一表面向基底的第二表面延伸的第一部分和连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分，所述至少一个通孔随着与第一部分远离而变细；

至少一个通孔电极，填充所述至少一个通孔。

18.一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括以下步骤：

形成沿着从基底的第一表面向基底的第二表面的方向延伸的至少一个通孔；

形成填充所述至少一个通孔的至少一个通孔电极，

其中，形成所述至少一个通孔电极的步骤包括以下步骤：

形成从基底的第一表面延伸到基底中的第一部分；

形成从第一部分向基底的第二表面延伸并且具有锥形形状的第二部分。