[发明专利]图像显示系统有效
申请号: | 201010107847.1 | 申请日: | 2010-02-10 |
公开(公告)号: | CN102148233A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 颜瑞祥;徐湘伦;西川龙司 | 申请(专利权)人: | 统宝光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 显示 系统 | ||
技术领域
本发明关于一种包含电激发光装置的图像显示系统,特别关于一种包含全彩有机电激发光装置的图像显示系统。
背景技术
近年来,随着电子产品发展技术的进步及其日益广泛的应用,像是移动电话及笔记本型计算机的问市,使得与传统显示器相比具有较小体积及电力消耗特性的平面显示器的需求与日俱增,成为目前最重要的电子应用产品之一。在平面显示器当中,由于有机电激发光件具有自发光、高亮度、广视角、高应答速度及制程容易等特性,使得有机电激发光件无疑地将成为下一世代平面显示器的最佳选择。
有机电激发光件为使用有机层作为主动层的发光二极管,近年来已渐渐使用于平面面板显示器(flat panel display)上。开发出具有高发光效率及长使用寿命的有机电激发光元件是目前平面显示技术的主要趋势之一。此外,为进一步达成有机电激发光元件全彩化的目的,一种称为串联式(tandem)有机电激发光装置被业界所提出。
美国5,703,436号专利揭露一种串联式全彩有机电激发光装置,其分别将红、蓝、绿有机发光二极管(oled)垂直堆栈,以串联方式连接在一起,并以单一电源驱动,达到全彩化的目的。然而,上述串联式全彩有机电激发光装置其所需的驱动电压过高,且所发出的光色会随着所提供的电流大小而改变。
为了降低全彩有机电激发光装置的驱动电压,美国7,193,361号专利揭露一全彩有机电激发光装置,其包含一阳极及及一阴极对向设置,在该阳极及阴极间还包含有多个发光层,其特征在于每一发光层其靠阳极层的表面皆形成有一电洞传输层与发光层直接接触。与传统串联式全彩有机电激发光装置相比,上述的美国7,193,361号专利所揭露的全彩有机电激发光装置确实可降低元件的驱动电然,不过其色彩饱合度(NTSC ratio)仍然无法提升。
发明内容
根据本发明提供一种图像显示系统,一全彩有机电激发光装置,其包括:一阳极;一第一发光层及一第二发光层,依序配置于阳极之上;一阴极,配置于第二发光层之上。其中,第一及第二发光层分别包含一第一掺杂物及一第二掺杂物,且第一掺杂物的能隙与第二掺杂物的能隙不同。
附图说明
图1是显示根据本发明一实施例的具有三层发光层的全彩有机电激发光装置的剖面示意图;
图2是显示根据本发明另一实施例的具有三层发光层的全彩有机电激发光装置的剖面示意图;
图3是显示根据本发明又一实施例的具有二层发光层的全彩有机电激发光装置的剖面示意图;
图4是显示根据本发明其它实施例的具有二层发光层的全彩有机电激发光装置的剖面示意图;
图5为有机电激发光装置(1)其第一发光层、阻障层、第二发光层、及第三发光层的能隙关系示意图;
图6是显示比较例1的有机电激发光装置(1)在不同电流密度下的电激发光光谱图;
图7为有机电激发光装置(2)其第一发光层、阻障层、及第二发光层的能隙关系示意图;
图8是显示实施例1的有机电激发光装置(2)在不同电流密度下的电激发光光谱图;
图9是显示实施例1-2的有机电激发光装置其发光效率与电流密度的关系图;以及
图10是绘示出根据本发明另一实施例的图像显示系统方块示意图。
[主要元件标号说明]
100、200~全彩有机电激发光装置;102、202~基板;104、204~阳极;106、206~电洞注入层;108、208~电洞传输层;110、210~第一发光层;111、211~第一掺杂物;112、212~阻障层;114、214~第二发光层;115、215~第二掺杂物;116~第三发光层;117、217~第三掺杂物;118、216~电子传输层;120、218~电子注入层;122、220~阴极;300~平面显示装置;350~输入单元;400~电子装置。
具体实施方式
以下将配合图示,以说明根据本发明所提供的包含全彩有机电激发光装置的图像显示系统。
请参照图1,是显示根据本发明的图像显示系统所包含的全彩有机电激发光装置100。全彩有机电激发光装置100包含一基板102,在基板102之上依序包含一阳极104、一电洞注入层106、一电洞传输层108、一第一发光层110、一阻障层112、一第二发光层114、一第三发光层116、一电子传输层118、一电子注入层120、以及一阴极122。值得注意的是,当阻障层112是形成于第一发光层110及第二发光层114之间时,第二发光层114则是与第三发光层116直接接触,换言之,第二发光层114与第三发光层116之间没有其它的膜层存在。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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