[发明专利]一种自修复超疏水涂层的制备方法

权利要求书

1.一种制备自修复超疏水涂层的方法，其步骤如下：

A.基底的处理：分别使用乙醇和水对基底进行超声清洗，以去除基底表面上的杂 质，氮气冲干；

B.涂层溶液的制备：将浓度为0.1～10mg/mL的阴离子聚合物A的去离子水溶 液与浓度为0.1～10mg/mL的阳离子聚合物的去离子水溶液混合后制备成复 合物溶液；再将阴离子聚合物B溶于去离子水中，制备成浓度为1.0 ～10.0mg/mL的去离子水溶液；

C.微纳复合表面的制备：将步骤A处理过的基底交替浸泡在步骤B所制备的两 种溶液中各3～30分钟，每次浸泡后均将基底取出并用去离子水冲洗，从而完 成一个周期的层状组装膜的制备；重复本步骤，吹干后从而在基底上利用层状 组装技术制备得到不同粗糙度的多层微纳复合结构涂层；

D.涂层的热处理：将步骤C得到的制备有多层微纳复合结构涂层的基底放入烘 箱中在50℃～400℃温度条件下加热1～3小时，以增加涂层的稳定性；

E.疏水物质的修饰：将步骤D得到的基底在60℃～250℃温度条件下进行化学气 相沉积，将含疏水链的分子修饰在涂层表面，从而在基底上得到透明自修复超 疏水涂层；

其中，阴离子聚合物A为聚乙烯苯磺酸钠、磺化聚醚醚酮或磺化聚苯胺；阳离 子聚合物为聚二甲基二丙烯基胺盐酸盐或聚丙烯胺；阴离子聚合物B为聚甲基丙烯 酸或聚丙烯酸；含疏水链的分子为四氢全氟C₄～C₁₆烷基三甲基硅烷或四氢全氟 C₄～C₁₆烷基三烷氧基硅烷；阴离子聚合物A与阳离子聚合物以重复单元摩尔比为 1∶1～1∶20的比例制备成复合物溶液。

2.如权利要求1所述的一种制备自修复超疏水涂层的方法，其特征在于：基底为平 面、曲面或不规则表面的基底。

3.如权利要求1所述的一种制备自修复超疏水涂层的方法，其特征在于：基底为硅 片、金属、玻璃或塑料。