[发明专利]还原咔叽2G的制备工艺无效
申请号: | 201010107428.8 | 申请日: | 2010-02-09 |
公开(公告)号: | CN101781473A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 刘剑;肖勇;唐波;郑祥斌;戴各锋 | 申请(专利权)人: | 重庆泰丰泰兴化工有限责任公司 |
主分类号: | C09B5/28 | 分类号: | C09B5/28 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 401256*** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 还原 咔叽 制备 工艺 | ||
1.一种还原咔叽2G的制备工艺,其特征在于:包括如下步骤:
①将咔叽闭环物与10-12倍重量的水混合并打成浆料,调节pH为7-10、调节温度为30-100℃,然后加入氧化剂并保温搅拌2-4小时,所述氧化剂为H2O2或NaClO,氧化剂与咔叽闭环物的摩尔比为1-2∶1;
②对步骤①所得物料进行过滤,过滤所得固体经60-80℃的热水洗涤至中性后干燥,即为所需还原咔叽2G原染料;
步骤①所述咔叽闭环物具有如下结构:
2.根据权利要求1所述的还原咔叽2G的制备工艺,其特征在于:步骤①所述氧化剂为NaClO。
3.根据权利要求1所述的还原咔叽2G的制备工艺,其特征在于:步骤①所述温度为50-80℃。
4.根据权利要求1所述的还原咔叽2G的制备工艺,其特征在于:步骤①中调节物料pH值的化合物为NaOH、KOH、Na2CO3、K2CO3中的至少一种。
5.根据权利要求1至4任一权利要求所述的还原咔叽2G的制备工艺,其特征在于:步骤①中,所述氧化剂为NaClO,所述温度为50-80℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆泰丰泰兴化工有限责任公司,未经重庆泰丰泰兴化工有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010107428.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:改善栅氧化层整合性参数的方法
- 下一篇:半导体存储器的制造方法