[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一导电类型半导体基体；

第一导电类型台柱区域，包括整体形成来覆盖所述第一导电类型半导体基体整个表面的第一导电类型半导体区域；

第二导电类型台柱区域，包括第二导电类型半导体区域，所述第二导电类型半导体区域周期地设置在大致平行于所述第一导电类型半导体基体的主表面的方向上，并且在与所述第一导电类型台柱区域大致相同的方向上设置为条形图案；

元件区域和终止区域，提供在所述第一和第二导电类型台柱区域中，在所述元件区域中形成晶体管，而在所述终止区域中不形成晶体管；

所述元件区域中的晶体管的本体区域，形成在所述第一导电类型台柱区域的表面上并且与所述第二导电类型台柱区域接触，所述本体区域包括第二导电类型半导体区域；

栅绝缘膜，形成在所述第一导电类型台柱区域和所述本体区域上；

栅极电极，以横跨所述本体区域的部分和所述第一导电类型台柱区域的表面的部分的方式形成在所述栅绝缘膜上；

源区域，在所述栅极电极的端部形成在所述本体区域表面的部分上，所述源区域包括第一导电类型半导体区域；以及

本体电位提取区域，形成在所述本体区域的表面上，所述本体电位提取区域包括第二导电类型杂质扩散层，其中

空隙形成在所述终止区域的所述第二导电类型台柱区域中。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中

所述终止区域中的所述第二导电类型台柱区域的形状与所述元件区域中的所述第二导电类型台柱区域的形状不同。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中

所述终止区域中的所述第二导电类型台柱区域形成为从它们与所述第二导电类型台柱区域接触的位置朝着所述半导体装置的端部在厚度上逐渐增加。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中

所述终止区域中的所述第二导电类型台柱区域形成为从它们与所述第二导电类型台柱区域接触的位置朝着所述半导体装置的端部在厚度上逐渐减小。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其中

所述终止区域中的所述第二导电类型台柱区域的所述端部形成矩形，并且宽于所述元件区域中的所述第二导电类型台柱区域。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中

所述终止区域中的所述第二导电类型台柱区域与所述元件区域中的所述第二导电类型台柱区域分开。

7.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在第一导电类型半导体基体的主表面上外延生长第一导电类型半导体层；

在所述外延生长的第一导电类型半导体层的表面上形成氧化膜；

在所述氧化膜上形成抗蚀剂层；

在所述抗蚀剂层中形成抗蚀剂图案，使所述抗蚀剂图案具有周期地设置在大致平行于所述半导体基体的主表面的方向上的开口部分；

通过采用所述抗蚀剂图案作为掩模去除所述氧化膜；

去除所述抗蚀剂图案；

通过采用所述氧化膜作为掩模去除所述外延生长的第一导电类型半导体层而形成沟槽；

去除在形成所述沟槽期间用作掩模的所述氧化膜；

用第二导电类型半导体层填充所述沟槽，形成第一和第二导电类型台柱区域，使得所述第一和第二导电类型台柱区域周期地设置在大致平行于所述半导体基体主表面的方向上；

在所述元件区域中的所述第一和第二导电类型台柱区域的表面上形成栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上形成栅极电极；

在所述外延生长的第一导电类型半导体层上形成第二导电类型本体区域；

在所述本体区域上形成第一导电类型源区域；以及

在所述本体区域上形成第二导电类型本体电位提取区域，其中

在形成所述第二导电类型台柱区域的步骤中，在所述终止区域的所述第二导电类型台柱区域中形成空隙。

8.如权利要求7所述的半导体装置制造方法，其中

在所述抗蚀剂图案形成步骤中，在形成晶体管的所述元件区域中所述开口部分形成的形状与在没有形成晶体管的所述终止区域中的形状不同。