[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010105368.6 申请日: 2010-01-28
公开(公告)号: CN101859792A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 俆祥准;南基贤 申请(专利权)人: 三星移动显示器株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L21/82;H01L51/56
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 王琦;王珍仙
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。更具体地,涉及一种薄膜封装的OLED显示器及其制造方法。

背景技术

OLED显示器具有自发光性质,且其与液晶显示器(LCD)不同,由于无需单独的光源而能够降低厚度和重量。此外,OLED显示器显示出诸如低功耗、高亮度、高响应速度等高质量特性,从而作为下一代显示器装置引起人们广泛关注。

OLED显示器包括分别具有空穴注入电极、有机发光层和电子注入电极的多个OLED。当阳极和阴极将空穴和电子注入到有机发光层时,OLED利用在有机发光层内电子-空穴再结合而产生的激子所产生的能量发光,且在激子由激发态降至基态时显示图像。

然而,有机发光层对诸如湿气和氧气的外部环境因素很敏感,使得OLED显示器的质量在暴露于湿气或氧气中时会变差。因此,为了保护OLED并防止湿气和氧气渗透到有机发光层中,通过另外的密封工艺将封装基板密封在形成OLED的显示器基板上,或者在OLED上形成厚保护层。

然而,当使用封装基板或形成保护层时,为了完全防止湿气或氧气渗透到有机发光层中,OLED显示器的制造工艺变得复杂,且OLED显示器的整体厚度不能较薄地形成。

上述在背景技术中公开的信息仅仅是为了加强对本发明背景技术的理解,因此,它可能会包含不构成在此国内本领域技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明致力于提供一种OLED显示器,所述OLED显示器能够有效地抑制湿气或氧气通过薄膜封装层渗透到有机发光层中,并同时使整体厚度变薄。

此外,本发明提供了一种能够有效地形成薄膜封装层的OLED显示器的制造方法。

有机发光二极管(OLED)显示器包括基板主体、在所述基板主体上形成的OLED、在所述基板主体上形成并覆盖所述OLED的湿气吸收层、在所述基板主体上形成并覆盖所述湿气吸收层的第一阻挡层、在所述湿气吸收层和所述第一阻挡层之间形成的第一辅助阻挡层、在所述基板主体上形成并覆盖所述第一阻挡层的第二阻挡层,和在所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间形成的第二辅助阻挡层。

所述湿气吸收层可由包括一氧化硅(SiO)、一氧化钙(CaO)、一氧化钡(BaO)或它们的组合的材料形成。

所述湿气吸收层可通过热蒸发工艺形成。所述热蒸发工艺可用真空蒸发法进行。

所述第一阻挡层和所述第二阻挡层可分别由包括Al2O3、TiO2、ZrO、SiO2、AlON、AlN、SiON、Si3N4、ZnO、Ta2O5或它们的组合的材料形成。

所述第一阻挡层和所述第二阻挡层各自可通过原子层沉积(ALD)法形成。

所述第一阻挡层和所述第二阻挡层可由彼此不同的材料制成。

所述第一辅助阻挡层可通过所述第一阻挡层和所述湿气吸收层之间的反应在所述第一阻挡层和所述湿气吸收层之间的界面形成,且可包括所述第一阻挡层的至少部分组分和所述湿气吸收层的至少部分组分。

所述第二辅助阻挡层可通过所述第二阻挡层和所述第一阻挡层之间的反应在所述第二阻挡层和所述第一阻挡层之间的界面形成,且可包括所述第二阻挡层的至少部分组分和所述第一阻挡层的至少部分组分。

所述湿气吸收层、所述第一辅助阻挡层、所述第一阻挡层、所述第二辅助阻挡层和所述第二阻挡层可形成保护所述OLED的薄膜封装层,且所述薄膜封装层的整体厚度可在1nm~1000nm的范围内。

根据本发明示例性实施方式的OLED显示器的制造方法包括:在基板主体上形成OLED;通过热蒸发工艺形成覆盖所述OLED的湿气吸收层;通过原子层沉积(ALD)法形成覆盖所述湿气吸收层的第一阻挡层;通过所述第一阻挡层和所述湿气吸收层之间的反应在所述第一阻挡层和所述湿气吸收层之间的界面形成第一辅助阻挡层;通过ALD法形成覆盖所述第一阻挡层的第二阻挡层;和通过所述第二阻挡层和所述第一阻挡层之间的反应在所述第二阻挡层和所述第一阻挡层之间的界面形成第二辅助阻挡层。

所述湿气吸收层可由包括一氧化硅(SiO)、一氧化钙(CaO)、一氧化钡(BaO)或它们的组合的材料形成。

所述湿气吸收层可通过热蒸发工艺形成。所述热蒸发工艺可用真空蒸发法进行。

所述湿气吸收层可通过沉积由二氧化硅(SiO2)和硅气体的反应形成的一氧化硅而形成。

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