[发明专利]微纳机电器件中纳米间隙的制作方法

权利要求书

1.一种微纳机电器件中纳米间隙的制作方法，包括如下步骤：

1)在硅基材上生长或淀积第一硬介质膜，光刻定义纳米间隙的位置，通过刻蚀或湿 法腐蚀去除部分第一硬介质膜，形成位于纳米间隙一侧的第一半硬掩膜；

2)在硅基材和第一半硬掩膜上淀积多晶硅，多晶硅层的厚度决定了纳米间隙的宽度；

3)在多晶硅层上淀积第二硬介质膜，并化学机械抛光第二硬介质膜至多晶硅界面， 形成位于纳米间隙另一侧的第二半硬掩膜；

4)各向异性刻蚀硅，刻蚀沿着夹在第一和第二半硬掩膜间的多晶硅侧壁进行，直至 刻蚀硅基材至所需深度，形成纳米间隙，其中，硅和所述第一半硬掩膜的刻蚀选择比大于 等于10，硅和所述第二半硬掩膜的刻蚀选择比也大于等于10。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一硬介质膜材料是氧化硅或氮化 硅，第二硬介质膜材料是氧化硅。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤1)通过热氧化或低压化学气相 沉积形成氧化硅层，光刻定义纳米间隙的位置后通过反应离子刻蚀或氢氟酸腐蚀去除 多余的氧化硅。

4.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤1)低压化学气相沉积法淀积氮 化硅，光刻定义纳米间隙的位置后通过反应离子刻蚀去除多余的氮化硅。

5.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤2)用低压化学气相沉积法 淀积多晶硅。

6.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤3)用低压化学气相沉积法 淀积第二硬介质膜。