[发明专利]用于半导体工艺腔的清洁方法有效
| 申请号： | 201010102419.X | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102136410A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 孙武;张海洋;黄怡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 工艺 清洁 方法 | ||
1.一种用于半导体工艺腔的清洁方法，所述工艺腔中设置有用于限制清扫气体冲吹位置的限制环，所述方法包括：
a)多个连续的无晶圆自动清洁工序，其中在每一工序中改变限制环的位置并冲吹清扫气体；以及
b)在所述工艺腔中冲吹氩气。
2.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于在所述步骤a)中的清扫气体是氧气。
3.如权利要求1或2所述的清洁方法，其特征在于在所述步骤a)中的清扫气体流速为500-2000sccm。
4.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于在所述步骤a)中的每个工序中压力的数值范围为200-800mT。
5.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于在所述步骤a)中的每个工序中的射频功率为300-700瓦。
6.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于在所述步骤a)中的每个工序的操作时间为10-30秒。
7.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于所述步骤b)中的氩气流速大于800sccm。
8.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于所述步骤a)中的限制环的位置按照彼此间距大致相同的方式设定。
9.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于所述工艺腔用于对低k值介电层的半导体器件进行二氧化碳光阻剥离工序。
10.如权利要求1所述的清洁方法，其特征在于所述工艺腔用于对低k值介电层的半导体器件进行氧气光阻剥离工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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