[发明专利]微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构有效

申请号：	201010102404.3	申请日：	2010-01-27
公开（公告）号：	CN102136465A	公开（公告）日：	2011-07-27
发明（设计）人：	蒋立飞;吴颜明	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号：	H01L23/58	分类号：	H01L23/58;H01L29/93;H01L29/94
代理公司：	北京市磐华律师事务所 11336	代理人：	董巍;顾珊
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	电容 mos 变容管变容二极管开路测试结构
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【权利要求书】：

1.一种微电容MOS变容管和变容二极管的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述开路去嵌测试结构包括：多个金属层和有源区；

所述多个金属层包括顶金属层，与所述有源区连接的第1金属层和所述顶金属层与所述第1金属层之间的至少一个中间金属层，所述第1金属层包括一个回路；

所述顶金属层分为四个互不相连的区域，所述区域包括：分别与两个信号端口连接的两个信号端口顶金属层区域，及分别将位于所述两个信号端口连线方向同侧的两个相邻接地端口连接在一起的两个接地端口顶金属层区域；

所述中间金属层包括与所述信号端口顶金属层区域相应的位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域和与所述接地端口顶金属层区域相应的位于接地端口顶金属层区域下的中间金属层区域，所述位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域和所述位于接地端口顶金属层区域下的中间金属层区域的覆盖范围均在相应的所述信号端口顶金属层区域和所述接地端口顶金属层区域的覆盖范围内；

所述接地端口顶金属层区域和所述位于接地端口顶金属层区域下的中间金属层区域和所述第1金属层的回路逐层连接；

至少去除一层所述位于信号端口顶金属层区域下的中间金属层区域，实现断开所述信号端口顶金属层区域与所述第1金属层的连接。

2.根据权利要求1所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述中间金属层有7个，包括：按与所述有源区之间的距离由小到大依次排列的第2金属层至第8金属层；

所述接地端口顶金属层区域和位于接地端口顶金属层区域下的第8金属层区域至第2金属层区域以及所述第1金属层的回路逐层连接；

至少去除位于信号端口顶金属层区域下的第8金属层区域至第2金属层区域中的任意一层，实现断开所述信号端口顶金属层区域与所述第1金属层的连接。

3.根据权利要求2所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述至少去除所述位于信号端口顶金属层区域下的第8金属层区域至第2金属层区域中的任意一层包括：去除所述位于信号端口顶金属层区域下的第2金属层区域，所述信号端口顶金属层区域与所述位于信号端口顶金属层区域下的第8金属层区域至第3金属层区域逐层连接。

4.根据权利要求2所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述多个金属层之间和所述第1金属层与所述有源区之间通过通孔连接。

5.根据权利要求4所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述顶金属层与所述第8金属层间的通孔为直径较大的双列通孔，所述第8金属层至第1金属层间和所述第1金属层和所述有源区间的通孔为直径较小的三列通孔。

6.根据权利要求2所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述位于所述接地端口顶金属层区域下的第8金属层区域至第2金属层区域有相同的结构和连接关系。

7.根据权利要求2所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述位于所述信号端口顶金属层区域下的第8金属层区域至第2金属层区域有相同的结构和连接关系。

8.根据权利要求1所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述多个金属层的尺寸与所述微电容MOS变容管或变容二极管的尺寸相匹配。

9.根据权利要求8所述的开路去嵌测试结构，其特征在于，所述多个金属层的尺寸包括所述多个金属层的宽度和长度。