[发明专利]硬掩膜层刻蚀方法无效
| 申请号： | 201010102334.1 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101777493A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 齐龙茵;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硬掩膜层 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硬掩膜层刻蚀方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有硬掩膜层、底部抗反射层以及图形化光阻层；
固化所述图形化光阻层；
以固化后的图形化光阻层为掩膜，刻蚀所述底部抗反射层，以形成图形化底部抗反射层；
以所述固化后的图形化光阻层和图形化底部抗反射层做掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，以形成图形化硬掩膜层。
2.如权利要求1所述的硬掩膜层刻蚀方法，其特征在于，利用溴化氢气体固化所述图形化光阻层。
3.如权利要求1或2所述的硬掩膜层刻蚀方法，其特征在于，所述底部抗反射层为有机底部抗反射层。
4.如权利要求3所述的硬掩膜层刻蚀方法，其特征在于，刻蚀所述底部抗反射层时所采用的刻蚀气体为四氟化碳和二氧化氦。
5.如权利要求4所述的硬掩膜层刻蚀方法，其特征在于，所述四氟化碳和二氧化氦的气体比例为9∶1～17∶1。
6.如权利要求5所述的硬掩膜层刻蚀方法，其特征在于，刻蚀所述底部抗反射层时反应室内的压力低于6mTorr。
7.如权利要求1所述的硬掩膜层刻蚀方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材质为氮化硅。
8.如权利要求7所述的硬掩膜层刻蚀方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为
9.如权利要求8所述的硬掩膜层刻蚀方法，其特征在于，所述底部抗反射层的厚度为
10.如权利要求9所述的硬掩膜层刻蚀方法，其特征在于，所述图形化光阻层的厚度为
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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