[发明专利]一种带隙可调控的硅基异质结太阳电池

权利要求书

1.一种带隙可调控的硅基异质结太阳电池，包括n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层、晶体硅材料层，其特征在于，所述的n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层、晶体硅材料层依序自上而下叠层结合；所述的n型非晶硅碳薄膜层、n型非晶硅薄膜层、n型微晶硅薄膜层掺杂浓度依次控制为n⁺⁺、n⁺与n；所述的晶体硅材料层为p型硅基底或进行了n型掺杂扩散处理的p型硅基底；所述的n型非晶硅碳薄膜层与所述的n型非晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构，所述的n型非晶硅薄膜层与所述的n型微晶硅薄膜层之间形成一个异质结结构；所述的n型非晶硅碳薄膜层上制有一层包括钝化膜和/或透明导电薄膜的上叠层；所述的上叠层上有受光面接触电极；所述的晶体硅材料层的下表面有背表面场；所述的背表面场下有背电极。

2.根据权利要求1所述的带隙可调控的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述的太阳电池的分层导电类型还可以采用整体对应的方式以反型的方式实现，即采用p型非晶硅碳薄膜层、p型非晶硅薄膜层和p型微晶硅薄膜层，其掺杂浓度可依次控制为p⁺⁺、p⁺与p，采用的晶体硅材料层为n型硅基底或进行了p型掺杂扩散处理的n型硅基底。

3.根据权利要求1或2所述的带隙可调控的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述的非晶硅碳薄膜层、非晶硅薄膜层和微晶硅薄膜层的禁带宽度依次递减，形成窗口效应；所述的非晶硅碳薄膜层、非晶硅薄膜层、微晶硅薄膜层和晶体硅材料层的厚度为纳米量级并可调节。

4.根据权利要求1或2所述的带隙可调控的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述的晶体硅材料层的迎入射光的一面进行表面织构处理，包括各向异性或各向同性腐蚀工艺，形成凹陷循环结构。

5.根据权利要求1所述的带隙可调控的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述的钝化膜由氮化硅或二氧化硅制成；所述的透明导电薄膜由ITO或ZnO制成；所述的电极采用高电导率金属材料制成。

6.根据权利要求5所述的带隙可调控的硅基异质结太阳电池，其特征在于，所述的高电导率金属材料为Ag。