[发明专利]低相噪全PMOS考比兹晶体振荡器放大器电路无效
| 申请号： | 201010101082.0 | 申请日： | 2010-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101789758A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 何程明 | 申请（专利权）人： | 苏州锐调科技有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/36 | 分类号： | H03B5/36;H03B5/02;H03B5/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 许方 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低相噪全 pmos 晶体振荡器 放大器 电路 | ||
1.一种低相噪全PMOS考比兹晶体振荡器放大器电路，包括振荡器放大电路，其特征在于还包括起振偏置电路、振幅与峰值检测电路、振幅比较电路和振幅控制电路，其中振幅控制电路串接振幅比较电路后接振荡器放大电路的输入端，振荡器放大电路的输出端串接振幅与峰值检测电路后接振幅比较电路的输入端，起振偏置电路的输出端接振荡器放大电路的输入端，晶体分别接振荡器放大电路、振幅控制电路与振幅与峰值检测电路的输入端。
2.根据权利要求1所述的低相噪全PMOS考比兹晶体振荡器放大器电路，其特征在于所述振荡器放大电路由第三、第四电容(C3、C4)以及第一、第二MOS管(M1、M2)构成，其中第三电容(C3)的一端分别接晶体的一端、第一MOS管(M1)的栅极和振幅与峰值检测电路的输入端，第三电容(C3)的另一端分别接第四电容(C4)的一端、第一MOS管(M1)的漏极和第二MOS管(M2)的源极，第四电容(C4)的另一端分别与晶体的另一端、第一MOS管(M1)的源极连接接地，第二MOS管(M2)的漏极接直流电源(vdd)，第二MOS管(M2)的栅极分别与起振偏置电路和振幅比较电路的输出端连接。
3.根据权利要求1所述的低相噪全PMOS考比兹晶体振荡器放大器电路，其特征在于所述振幅与峰值检测电路由第五MOS管(M5)、第九电阻(R9)以及第九、第十电容(C9、C10)构成，其中第五MOS管(M5)的源极接直流电源(vdd)，第五MOS管(M5)的栅极分别接接振荡器放大电路和晶体，第五MOS管(M5)的漏极分别接第九电阻(R9)的一端和第十电容(C10)的一端，第九电阻(R9)的另一端分别接振幅比较电路的输入端和第九电容(C9)的一端，第九电容(C9)的另一端与第十电容(C10)的另一端连接接地。
4.根据权利要求1所述的低相噪全PMOS考比兹晶体振荡器放大器电路，其特征在于所述起振偏置电路包括第九MOS管(M9)和第二电流源(I2)，其中第九MOS管(M9)的漏极接直流电源(vdd)，第九MOS管(M9)的栅极分别接第九MOS管(M9)的源极和第二电流源(I2)的输入端，第二电流源(I2)的输出端接地。
5.根据权利要求1所述的低相噪全PMOS考比兹晶体振荡器放大器电路，其特征在于所述振幅控制电路包括第四MOS管(M4)、第一电阻(R1)和第一电流源(I1)，其中第一电阻(R1)的一端接晶体，第一电阻(R1)的另一端分别接第四MOS管(M4)的栅极和源极以及第一电流源(I1)的输入端，第一电流源(I1)的输出端接地，第四MOS管(M4)的漏极接振幅比较电路的输入端。
6.根据权利要求2所述的低相噪全PMOS考比兹晶体振荡器放大器电路，其特征在于所述第一MOS管(M1)为PMOS管。
7.根据权利要求2所述的低相噪全PMOS考比兹晶体振荡器放大器电路，其特征在于所述第二MOS管(M2)为PMOS管。
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