[发明专利]半导体激光器元件和半导体激光器器件无效
| 申请号： | 201010100012.3 | 申请日： | 2010-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101882755A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 今西大介 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李晓冬;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 元件 器件 | ||
1.一种半导体激光器元件，包括：
第一半导体层；
具有电流注入区域的有源层；
第二半导体层；
第三半导体层；以及
用于将电流注入所述有源层中的电极，
其中，所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层以及所述第三半导体层被依次层叠在衬底上，
所述第一半导体层具有电流约束层，所述电流约束层约束所述有源层的所述电流注入区域，
所述第三半导体层形成在所述第二半导体层的上表面上对应于所述有源层的所述电流注入区域的区域中，
所述电极形成在所述第二半导体层的所述上表面上除所述第三半导体层的区域以外的区域中。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，
其中，所述衬底和所述第一半导体层分别具有n型导电类型，所述第二半导体层具有p型导电类型，所述第三半导体层具有n型导电类型。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，
其中，所述第三半导体层是非掺杂层。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，
其中，所述衬底和所述第一半导体层分别具有n型导电类型，所述第二半导体层具有p型导电类型，所述第三半导体层具有使n型层和非掺杂层从所述第二半导体层一侧起被依次层叠的层叠结构。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的半导体激光器元件，
其中，所述第三半导体层被形成为具有与所述电流注入区域的形状对应的带状形状，
在有源层中产生的光沿与所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层和所述第三半导体层的层叠方向垂直的方向发射。
6.根据权利要求1-3中任意一项所述的半导体激光器元件，
其中，所述第一半导体层包括DBR层，
所述第三半导体层是圆柱形DBR层，
在所述有源层中产生的光沿垂直于所述第三半导体层的上表面的方向发射。
7.一种半导体激光器器件，包括：
半导体激光器元件；以及
支撑部件，
其中，所述半导体激光器元件包括：
第一半导体层；
具有电流注入区域的有源层；
第二半导体层；
第三半导体层；以及
用于将电流注入所述有源层中的电极，
其中，所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层以及所述第三半导体层被依次层叠在衬底上，
所述第一半导体层具有电流约束层，所述电流约束层约束所述有源层的所述电流注入区域，
所述第三半导体层形成在所述第二半导体层的上表面上对应于所述有源层的所述电流注入区域的区域中，
所述电极形成在所述第二半导体层的所述上表面上除所述第三半导体层的区域以外的区域中，
所述第三半导体层和所述支撑部件由置于其间的焊料层彼此结合。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器器件，
其中，所述半导体激光器元件还包括所述第三半导体层上的、由与所述电极的材料相同的材料形成的金属膜。
9.根据权利要求7所述的半导体激光器器件，
其中，所述半导体激光器元件还包括处于所述第三半导体层上的电介质多层膜。
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