[发明专利]一种单模纤芯耦合多层掺稀土环形纤芯的光纤

权利要求书

1.单模纤芯耦合多层掺稀土环形纤芯的光纤，其特征为：该光纤中心为掺 稀土离子芯区(1)，掺稀土离子芯区(1)外由内到外分布第一硅环芯(21)、 第一掺稀土离子环芯(41)、...第N硅环芯、第N掺稀土离子环芯，第N+1硅 环芯，外包层(3)，2≤N≤50；

掺稀土离子芯区(1)、第一掺稀土离子环芯(41)、...第N掺稀土离子环芯 的折射率相等，第一硅环芯(21)、...第N硅环芯、第N+1硅环芯的折射率相 等，第一硅环芯(21)、...第N硅环芯、第N+1硅环芯的折射率低于掺稀土离 子芯区(1)、第一掺稀土离子环芯(41)、...第N掺稀土离子环芯的折射率；外 包层(3)的折射率低于第一硅环芯(21)、...第N硅环芯、第N+1硅环芯的折 射率。

2.根据权利要求1所述的单模纤芯耦合多层掺稀土环形纤芯的光纤，其特 征为：掺稀土离子芯区(1)、第一掺稀土离子环芯(41)、...第N掺稀土离子环 芯的掺稀土离子类型包括钕离子、铒离子、镱离子、钍离子、镨离子、钬离子、 钐离子、钕镱共掺离子、铒镱共掺离子；掺稀土离子芯区(1)、第一掺稀土离 子环芯(41)、...第N掺稀土离子环芯的掺稀土离子类型相同。

3.根据权利要求1所述的单模纤芯耦合多层掺稀土环形纤芯的光纤，其特征 为：掺稀土离子芯区(1)的纤芯直径小于等于5μm；第一掺稀土离子环芯(41)、... 第N掺稀土离子环芯的各环芯厚度小于等于5μm。

4.根据权利要求1所述的单模纤芯耦合多层掺稀土环形纤芯的光纤，其特征 为：掺稀土离子芯区(1)表面与第一掺稀土离子环芯(41)表面的最小距离小 于等于5μm，第K掺稀土离子环芯表面与第K-1掺稀土离子环芯表面的最小距 离小于等于5μm，2≤K≤N。