[发明专利]一种降低相变存储器单元操作功耗的方法

权利要求书

1.一种降低相变存储器单元操作功耗的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在SiO₂/Si基片上涂覆CeO₂薄膜；

(2)将步骤(1)中制备的涂覆CeO₂薄膜的SiO₂/Si基片退火处理，制得具有缓冲层的SiO2/Si基片；

(3)在步骤(2)中制备的具有缓冲层的SiO₂/Si基片上，涂覆GST相变材料，并封装成相变存储器器件。

2.根据权利要求1所述的降低相变存储器单元操作功耗的方法，其特征在于，步骤(1)中所述CeO₂薄膜的厚度为5～15nm。

3.根据权利要求1所述的降低相变存储器单元操作功耗的方法，其特征在于，所述SiO₂/Si基片为经过光刻工艺处理过的SiO₂/Si基片，涂覆CeO₂薄膜的方法为磁控溅射法，涂覆时溅射功率设为15～30W。

4.根据权利要求3所述的降低相变存储器单元操作功耗的方法，其特征在于，采用所述磁控溅射法涂覆CeO₂薄膜时通入氧气和氩气，且氧气分压与氩气分压比为0.1～1∶1～3。

5.根据权利要求1所述的降低相变存储器单元操作功耗的方法，其特征在于，所述SiO₂/Si基片涂覆CeO₂薄膜后在氧气气氛中进行退火处理，退火时间为5～15min，退火温度为350～500℃。

6.根据权利要求1所述的降低相变存储器单元操作功耗的方法，其特征在于，步骤(3)中涂覆的GST相变材料厚度为100～200nm。