[发明专利]一种透明陶瓷白光LED器件无效
申请号: | 201010004944.8 | 申请日: | 2010-01-22 |
公开(公告)号: | CN102136541A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 石云;潘裕柏;冯锡淇;姜本学 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 陶瓷 白光 led 器件 | ||
1.一种透明陶瓷白光LED器件,其特征在于包括作为发光材料的块体透明陶瓷发光体,LED芯片以及承载LED芯片和透明陶瓷发光体的载体,载体开设有凹槽,LED芯片位于凹槽底部,透明陶瓷发光体直接叠放在LED芯片上或镶嵌在载体中。
2.按权利要求1所述的透明陶瓷白光LED器件,其特征在于所述的LED芯片为蓝光LED芯片或紫外LED芯片。
3.按权利要求1所述的透明陶瓷白光LED器件,其特征在于凹槽底部连接电源导线。
4.按权利要求1所述的透明陶瓷白光LED器件,其特征在于镶嵌在载体中的透明陶瓷发光体与LED芯片的距离≤5cm。
5.按权利要求1所述的透明陶瓷白光LED器件,其特征在于所述的透明陶瓷发光体的厚度为0.1-5mm。
6.按权利要求1或3所述的透明陶瓷白光LED器件,其特征在于所述的透明陶瓷发光体为在LED芯片激发下,发出一种或多波段的光。
7.按权利要求1、3或6所述的透明陶瓷白光LED器件,其特征在于所述的透明陶瓷为Tb、Pr、Eu、Nd、Tm、Dy和Ce一种或两种以上稀土离子掺杂的基质材料,实现发光调控,所述的基质材料为YAG或为Y2O3、LuAG、Lu2O3、Sc2O3、MgAl2O4、CaF2和ZnS中的任一种。
8.按权利要求7所述的透明陶瓷白光LED器件,其特征在于所述的透明陶瓷为Ce3+掺杂的YAG材料,Ce3+的掺杂原子百分浓度为0.05-0.3%。
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